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數碼【IEEE里程碑獎】HEMT技術HEMT是一種異質結場效應電晶體,1979年12月由富士通的三村隆史(Takashi Mimura)發明,並於1980年發表了第一篇有關HEMT的文章“A New Field-Effect Transistor with Selectivi...時間:2021-05-31標籤:HEMT 放大器 AlGaAs 低噪聲 pHEMT