數碼半導體裝置行業專題報告:薄膜沉積裝置,受益於國產化率提升目前公司主要專注於薄膜沉積 裝置,其產品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)裝置、原子層沉積(ALD)裝置和次常 壓化學氣相沉積(SACVD)裝置三大系列,已廣泛適用於國內 14nm 及以上製程積體電路製造產 線,並持續加強 10nm...時間:2022-02-21標籤:裝置 薄膜 沉積 PECVD ALD
數碼TOPCon繼往開來,2022年擴產有望加速在PERC技術升級為TOPCon的核心3大工藝步驟中(隧穿氧化層、多晶矽層、擴散),多家廠商推出了各自的技術方案, 氧化層需要新增的裝置主要是氧化爐、PECVD、PEALD,隧穿氧化層一般需要增加 LPCVD、PECVD,根據摻雜方案的不同...時間:2022-02-09標籤:TOPCon 電池 裝置 PERC PECVD
數碼TOPCon為何受存量玩家青睞?除多晶矽沉積之外,TOPCon 工藝製備中,隧穿氧化層也是相較於PERC 的增量工藝步驟,目前主要的工藝方法包括熱氧化法、PECVD、原子層沉積、溼化學法、準分子源幹氧等,分別對應裝置熱氧化管式爐、板式 PECVD/管式PECVD、ALD、...時間:2022-02-07標籤:TOPCon PECVD LPCVD 電池 裝置
數碼TOPCon 電池技術的幾個難點5GW,基本全為 PERC 電池產線,這些產能中大部分未來也都可以升級為 TOPCon 電池...時間:2021-11-04標籤:TOPCon 電池 產線 PECVD 技術
數碼HJT裝置行業競爭格局由於HJT電池對裝置要求較高,真空度、潔淨度、膜厚度、壓力、沉積速率等各種因素都會對鍍膜質量產生影響,非晶矽薄膜沉積、TCO膜沉積是影響電池效率和穩定性的核心工藝,因此PECVD和RPD/PVD是HJT的關鍵裝置...時間:2021-10-21標籤:裝置 PECVD HJT 清洗 制絨