科學家開發出三維垂直場效應電晶體,將催生更小、更環保的資料儲存器
本文轉自:科技日報科技日報記者張夢然透過鐵電柵極絕緣體和原子層沉積氧化物半導體通道,日本科學家制造了三維垂直場效應電晶體,可用來生產高密度資料儲存器件...
時間:2022-06-15
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時間:2022-06-15
除了車規級鐵電儲存器FRAM產品賦能汽車電子應用外,富士通FRAM具備高燒寫耐久性以及低功耗等特性,適用於系統閘道器(Gateway)中記錄與儲存重要的資料...
時間:2021-04-21
FRAM的資料保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性儲存器相比,具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗效能...
時間:2021-04-06