SGT MOSFE是一種新型的功率半導體器件，具有傳統深溝槽MOSFE的低導通損耗的優點，同時具有更加低的開關損耗。SGT MOSFE作為開關器件應用於新能源電動車、新型光伏發電、節能家電等領域的電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統，是核心功率控制部件。

SGT（Shield Gate Trench MOSFET） MOSFET結構及工藝製造方法，因其不需要在溝槽內生長厚的遮蔽電極介質層，同時Bsg具有良好的高溫迴流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小，因而可以縮小單位元胞尺寸（Pitch Size），採用更高摻雜濃度的外延片實現同樣的擊穿電壓，降低器件Rsp，增強市場競爭力。

圖1 Trench MOSFET Structure

圖2 SGT MOSFET Structure

SGT技術優勢,具體體現:

1）米勒電容SGT 工藝明顯比溝槽工藝低很多， 所以開關損耗低。

2）SGT 比溝槽工藝挖槽深度3-5倍， SGT可以橫向使用更多的矽外延體積來阻止電壓，使得SGT的內阻比普通MOSFET低2倍左右。

3）由於SGT MOSFET具有更深的溝槽深度，因此可以使用更多矽體積來吸收EAS能量。所以SGT可以在雪崩中做同樣或更好。

4）同等規格下，芯片面積可以做到更小，價效比更高。

尚陽通採用SGT最新一代工藝，基於多項專利技術推出中低壓MOSFET系列產品。舉例介紹尚陽通最新推出150V SGT MOSFET。

結合150V產品應用領域的不同，尚陽通同時推出兩款Rdson接近的產品：

SRT15N050H、SRT15N059H封裝形式有TO-22OC、TO-263。

SRT15N050H、SRT15N059H主要引數比較

SRT15N050H

、

SRT15N059H

器件開關特性對比

測試條件：Vdc=75V；Rg=20Ω；Vgs=12V；Id=26A

SRT15N050H適合需要低內阻，開關速度要求不高的系統，類似BMS領域應用； SRT15N059H適合要求開關損耗小，開關速度快的系統，類似高頻同步整流（SR）應用。

圖3 SR Application

圖4 BMS Application

尚陽通中低壓SGT系列產品，在電機驅動、電動工具、PD介面卡、大功率電源等各個領域已大批次供貨，為國產半導體器件的發展助力。

附:尚陽通部分SGT MOSFET產品選型表