作為一個電源方面的工程師、技術人員，相信大家對 MOSFET 都不會陌生。在電源論壇中，關於MOSFET 的帖子也應有盡有，比如MOSFET 結構特點/工作原理、MOSFET 驅動技術、MOSFET 選型、MOSFET 損耗計算等。
工程師們要選用某個型號的 MOSFET，首先要看的就是規格書/datasheet，拿到 MOSFET 的規格書/datasheet 時，我們要怎麼去理解那十幾頁到幾十頁的內容呢？
以
英飛凌 MOS 晶片型號IPP60R190P6
為例子，本文將和大家分享一下小編對 MOSFET 規格書/datasheet 的一些理解，歡迎大家一起交流學習。
（規格書來源：icspec官網）
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MOSFET規格書的一些主要引數
1.VDS
通常所說的VDS，或者說是擊穿電壓，也就是我們說的耐壓。那麼一般MOS廠家是如何來定義這個引數的呢？
（規格書來源：icspec官網）
是不是表示設計中只要MOSFET上電壓不超過600V MOSFET就能工作在安全狀態？
相信很多人的答案是“是！”，但其實正確答案是“不是！”
這個引數是有條件的，這個最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是隻有在Tj=25℃時，MOSFET上電壓不超過600V才算是工作在安全狀態。
MOSFET V（BR）DSS是正溫度係數的，其實datasheet上有一張V（BR）DSS與Tj的關係圖，如下：
（規格書來源：icspec官網）
要是電源用在寒冷的地方，環境溫度低到-40℃甚至更低的話，MOSFET V（BR）DSS值
所以在MOSFET使用中，我們都會保留一定的VDS的電壓裕量，其中一點就是為了考慮到低溫時MOSFET V（BR）DSS值變小了，另外一點是為了應對各種惡例條件下開關機的VDS電壓尖峰。
2、ID
（規格書來源：icspec官網）
行內人士都知道， MOSFET 最初都是按 xA， xV 的命名方式（比如 20N60~），慢慢的都轉變成Rds（on）和電壓的命名方式（比如 IPx60R190C6， 190 就是指 Rds（on）~）。
其實從電流到 Rds（on）這種命名方式的轉變就表明 ID 和 Rds（on）是有著直接聯絡的。
（MOSFET ID和Rds(on)的關係）
（1） 封裝能夠承受的損耗和封裝的散熱效能（熱阻）之間的關係
（2） MOSFET透過電流ID產生的損耗
（1）， （2）聯立，計算得到ID和Rds_on的關係
3、Rds（on）
（規格書來源：icspec官網）
從MOSFET Rds（on）與Tj的圖表中可以看到：Tj增加Rds（on）增大，即Rds（on）是正溫度係數，MOSFET的這一特性使得MOSFET易於並聯使用。
4、Vgs(th)
（規格書來源：icspec官網）
因為高壓MOSFET的datasheet中沒有上面這個圖，所以有很多人會注意不到Vgs（th）的這一特性，這也是正常的。這一點可能是因為高壓MOSFET的Vgs（th）值一般都是2。5V以上，高溫時也就到2V左右。但對於低壓MOSFET就有點不一樣了，很多低壓MOSFET的Vgs（th）在常溫時就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs（th）是1。2V~2V，高溫時最低都要接近0。8V了，這樣只要在Gate有一個很小的尖峰就可能誤觸發MOSFET開啟從而引起整個電源系統異常。
所以，低壓MOSFET使用時一定要留意Vgs（th）的這個負溫度係數的特性！
5、Ciss, Coss, Crss
MOSFET 帶寄生電容的等效模型
Ciss=Cgd+Cgs， Coss=Cgd+Cds， Crss=Cgd
Ciss， Coss， Crss的容值都是隨著VDS電壓改變而改變的，如下圖：
（規格書來源：icspec官網）
在 LLC 拓撲中，減小死區時間可以提高效率，但過小的死區時間會導致無法實現 ZVS。因此選擇在 VDS 在低壓時 Coss 較小的 MOSFET 可以讓 LLC 更加容易實現 ZVS，死區時間也可以適當減小，從而提升效率。
6、Qg, Qgs, Qgd
（規格書來源：icspec官網）
從此圖中能夠看出：
1。 Qg並不等於Qgs+Qgd
2。 Vgs高，Qg大，而Qg大，驅動損耗大
7、SOA
SOA曲線可以分為4個部分：
1）。 Rds_on的限制；
2）。最大脈衝電流限制；
3）。 VBR（DSS）擊穿電壓限制；
4）。 器件所能夠承受的最大的損耗限制。
這裡也涉及到很多專業知識，就不跟大家一一羅列了，大家可以上icspec官網查詢一下相關MOSFET晶片的規格書/datasheet，研究參考一下。
8、Avalanche
EAS：單次雪崩能量，EAR：重複雪崩能量，IAR：重複雪崩電流
（規格書來源：icspec官網）
MOSFET的雪崩能力主要體現在以下兩個方面：
1。 最大雪崩電流 ==>IAR；
2。 MOSFET的最大結溫Tj_max ==>EAS、EAR 雪崩能量引起發熱導致的溫升。
9、體內二極體引數
（規格書來源：icspec官網）
VSD，二極體正向壓降 ==>這個引數不是關注的重點，trr，二極體反向回覆時間 ==>越小越好，Qrr，反向恢復電荷 ==>Qrr大小關係到MOSFET的開關損耗，越小越好，trr越小此值也會小。
（規格書來源：icspec官網）
● 不同拓撲 MOSFET 的選擇
針對不同的拓撲，對MOSFET的引數有什麼不同的要求？怎麼選擇適合的MOSFET？
1).
反激；
2).
PFC、雙管正激等硬開關；
3).
LLC諧振、移相全橋等軟開關拓撲；
4).
防反接，Oring MOSFET。
