數碼SGT MOSFET 介紹SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結構及工藝製造方法,因其不需要在溝槽內生長厚的遮蔽電極介質層,同時Bsg具有良好的高溫迴流特性,具備良好的溝槽填充能力,可以將溝槽CD極大程度縮小,因而可以縮小單位元...時間:2020-12-21標籤:Sgt MOSFET 溝槽 尚陽通 SRT15N059H
數碼厚積薄發,尚陽通亮劍IGBT賽場IGBT新興應用層出不窮,器件最佳化目標迫在眉睫IGBT是由BJT和MOSFET組成的複合功率半導體器件,既具備MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點,又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點...時間:2021-06-22標籤:IGBT 器件 尚陽通 MOSFET 產品