IRFZ44N MOSFET在只要2元，你也可以來實現這個電路，電路原理圖如下：一、所需器件硬體部分IRFZ44N MOSFET*1多色LED*110W LED電阻*112V電源手工工具與製作器件烙鐵烙鐵架鼻鉗助焊劑二、介紹使用IRFZ44...

時間：2020-01-26標籤：LED MOSFET IRFZ44N 電路 閃光燈 

券商研報認為，半導體行業供需失衡仍未得到明顯緩解，長期來看供需恢復平衡有望延緩至2023年，且功率半導體下游需求行業規模持續擴大，其中新能源汽車、工業、可再生能源發電等領域的快速發展將帶動功率半導體市場空間持續擴大，以IGBT為代表的國產功...

時間：2022-03-17標籤：2022 半導體 功率 MOSFET 需求 

所以一般的MOS廠家還會用另外一個引數來描述這個特性：MOSFET的驅動技術■MOS雖然是電壓型驅動，但是由於寄生電容的存在，必須要求驅動電路提供一定的驅動電流...

時間：2022-05-18標籤：驅動 MOS MOSFET 導通 電壓 

在電路中，選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問題，如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結出以下幾點：也可從下圖看出兩者使用的條件，陰影部分割槽域表示MOSFET和IGBT都可以選用，“...

時間：2022-04-29標籤：IGBT MOS MOSFET 二極體 電路 

在電路中，選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問題，如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結出以下幾點：也可從下圖看出兩者使用的條件，陰影部分割槽域表示MOSFET和IGBT都可以選用，“...

時間：2020-03-16標籤：IGBT MOS MOSFET 二極體 電路 

券商研報認為，半導體行業供需失衡仍未得到明顯緩解，長期來看供需恢復平衡有望延緩至2023年，且功率半導體下游需求行業規模持續擴大，其中新能源汽車、工業、可再生能源發電等領域的快速發展將帶動功率半導體市場空間持續擴大，以IGBT為代表的國產功...

時間：2022-03-17標籤：2022 半導體 功率 MOSFET 需求 

在LED驅動電源，工業控制輔助電源等應用中，電源工程師在設計浪湧防護時，可選擇耐壓更高的MOSFET，耐壓高的器件可將浪湧能量擋在AC 輸入端，讓輸入埠的MOV防護器件來吸收，避免MOSFET超過安全工作區...

時間：2022-03-31標籤：MOSFET 浪湧 雪崩 LED 電源 

SGT（Shield Gate Trench MOSFET） MOSFET結構及工藝製造方法，因其不需要在溝槽內生長厚的遮蔽電極介質層，同時Bsg具有良好的高溫迴流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小，因而可以縮小單位元...

時間：2020-12-21標籤：Sgt MOSFET 溝槽 尚陽通 SRT15N059H 

因此技嘉Z490I AORUS ULTRA主機板上配置了8相總計720A電流的供電規模，除了讓主機板擁有更高的功率上限外，同時還可以分攤每相供電的電流，讓每相電路都工作在合理的負載範圍內，溫度自然也會控制在合理範圍內，在加上帶有熱管的散熱片...

時間：2020-08-26標籤：供電 CPU MOSFET 電流 主機板 

不過，由於系統的非理想性（例如功率器件的非理 想開關，其中完成電壓和電流轉換可能需要數百納秒 的時間），立即進行 DESAT 檢測可能會導致不精確的 故障觸發...

時間：2022-02-17標籤：MOSFET 器件 柵極 IGBT 驅動器 

如果還添加了按鍵開關，則可以透過按鍵開關來控制電晶體，進而控制LED：1.1 選擇元器件的值要選擇元器件的值，還需要了解電晶體的工作原理：當電流從基極流向發射極時，電晶體開啟，使更大的電流可以從集電極流向發射極...

時間：2022-01-22標籤：電晶體 MOSFET 電流 發射極 電壓 

檢查檢查你的電源晶片輸入是否正常吧，還需要檢查的地方有使能訊號，分壓電阻，反饋網路......5）電源晶片輸出值不在預料範圍...

時間：2021-06-27標籤：原理圖 PCB 訊號 VO MOSFET 

國際整流器的Copper Strap技術威世的Power Connect技術飛兆半導體的Wirless Package技術2、增加漏極散熱板標準的SO-8封裝採用塑膠將晶片包圍，低熱阻的熱傳導通路只是晶片到PCB的引腳...

時間：2020-04-17標籤：封裝 MOSFET 器件 電壓 引腳 

計算功率損耗時，需要考慮柵極源極間電壓和漏極電流，選擇適合的導通電阻...

時間：2021-05-03標籤：導通 電阻 柵極 MOSFET 越小 

關斷瞬間驅動電路能提供一個低阻抗通路供 MOSFET 柵源間電壓快速瀉放，保證開關管能快速關斷...

時間：2020-11-11標籤：驅動 關斷 電路 電壓 MOSFET 

較好的模組化柵極驅動解決方案包括：高度整合解決方案，可最大限度地減少器件所需的空間高驅動電流解決方案，可降低開關損耗並提高效率高柵極驅動電壓解決方案，可確保以最小內阻（“RDS（ON）”）導通 MOSFET高水平過流、過壓和過熱保護解決方案...

時間：2019-11-07標籤：柵極 MOSFET 驅動器 電機 BLDC 

I DSS ：飽和漏源電流，柵極電壓 V GS =0 、 V DS 為一定值時的漏源電流...

時間：2020-11-10標籤：電壓 MOSFET 漏源 GS 柵極 

隨著負載電流 的增加而增加的損耗因素：高邊側的MOSFET導通電阻 帶來的傳導損耗低邊側的MOSFET導通電阻 帶來的傳導損耗電感（線圈）的DCR 帶來的導通損耗隨著頻率 的提高而增加的損耗因素：柵極電荷損耗受負載電流 和頻率兩...

時間：2021-08-17標籤：損耗 MOSFET IC 開關 導通 

Wolfspeed 600 kW XM3高效能雙三相逆變器參考設計其N溝道增強模式SiC功率MOSFET C3M0015065K具有如下功能特性：採用C3MTM SiC MOSFET技術最佳化的封裝帶有分離的驅動源引腳漏極與源極間的爬電距離...

時間：2021-11-23標籤：DC 模組 IGBT MOSFET 電池 

當晶片檢測VDET開關電源晶片U6773特點：原邊反饋/內建MOSFET內建環路補償，省去額外的補償或濾波電容提高系統效率最佳化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現輕載無異音多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恆流恆壓（...

時間：2021-11-10標籤：晶片 開關電源 U6773 內建 MOSFET