集微網訊息，5月17日，據BusinessKorea報道，臺積電宣佈啟動開發1。4nm晶片製造工藝的行動，再次引發了先進工藝技術競爭。因此，在全球代工市場上緊隨臺積電之後的三星電子也不得不採取相應措施。

圖源：BusinessKorea

據報道，臺積電將在6月將其3nm工藝研發團隊轉為1。4nm工藝研發團隊。

在三星“Foundry Forum 2021”上，三星電子宣佈將於2025年大規模生產2nm製程晶片。臺積電更進一步，在三星電子之前啟動了1。4nm工藝的開發。

臺積電和三星一直在競相開發低於10nm的製造工藝。就市場佔有率而言，臺積電勢不可擋。據市場調研機構集幫諮詢的資料，臺積電在2021年第三季度的市場佔有率（以銷售額為準）為52。1%，遠遠超過了三星電子的18。3%。

然而，三星一直在緊追臺積電。該公司的目標是在2022年透過使用下一代電晶體結構GAA（環繞式閘極）來大規模生產3nm產品。這項技術使電晶體更小、更快。三星即將在臺積電之前將該技術商業化。

英特爾最近也加入了這場技術競賽，並宣佈了一項在臺積電和三星之前開發2nm以下工藝的計劃。英特爾表示，它將在2021年重新進入代工行業以及在2024年下半年大規模生產1。8nm產品。

然而，行業觀察人士持懷疑態度。目前，代工企業正在為超微加工工藝而苦苦掙扎。隨著晶片的尺寸越來越小，電路必須繪製得更精確，技術壁壘越來越高，產量管理也變得越來越困難。（校對/思坦）