據財聯社訊息，美光總裁暨執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）5月26日表示，中國臺灣中科新廠啟用後，美光將會匯入先進性1a nmDRAM製程生產以及最先進的極紫外光（EUV）裝置。

公開資料顯示，EUV製程採用波長為10-14nm的極紫外光作為光源的光刻，相較於將蝕刻液噴灑在半導體表面，利用蝕刻液與半導體基底化學反應的DUV，蝕刻的各向異性明顯改善，對於精確度要求較高的積體電路，EUV使電路解析度和良率得到極大提升。

簡單而言，利用EUV裝置生產DRAM，將極大的提高產能、良率，並降低成本。這也使得EUV的爭奪愈加白熱化。

基於EUV技術對DRAM技術節點的好處，三星、SK海力士和美光這三大DRAM廠商已先後進入了EUV DRAM市場。

三星

三星率先引入了EUV。2020 年3月，三星率先使用極紫外（EUV）光刻技術，同年10月便開始批次生產基於EUV的14nm DRAM。在此過程中，三星將其最先進的14nm DDR5上的EUV層數從兩層增加到了五層DRAM工藝。

2021年11月，三星表示，其已經應用EUV技術開發了14nm 16Gb低功耗雙倍資料速率5X （LPDDR5X） DRAM，專門用於5G、人工智慧（AI）、機器學習（ML）和其他大資料終端應用等高速率應用。此外，該公司還發布了其首個支援新型計算快速連結（Compute ExpressLink，CXL） 互連標準的DRAM記憶體模組，併發布了專為自主電動汽車和高效能資訊娛樂系統設計的2GB GDDR6和2GB DDR4汽車DRAM。

今年2月，三星官方表示其基於極紫外（EUV）光刻技術的1z-nm工藝的DRAM已完成了量產。業界訊息顯示，三星還將繼續為下一代DRAM增加EUV步驟，其三星的P3工廠也將採用EUV工藝生產10nm DRAM。

SK海力士

SK海力士引入EUV是在2021年。2021年2月，SK海力士完成首個用於DRAM的EUV晶圓廠M16，正式引入了EUV光刻裝置。2021年7月，SK海力士宣佈量產了1a nm工藝的8千兆的LPDDR4 EUV DRAM。

官方訊息顯示，與第三代1z nm記憶體晶片相比，1a技術在相同的晶圓面積下，生產的晶片數量可以增加25%。此外，202年SK海力士還發布了據稱是業界效能最高的DDR5 DRAM，作為海力士的第三代高頻寬記憶體，該晶片被稱為HBM3。

美光

對比前兩家的早早加碼EUV，美光方面則稍晚一些。據外媒此前訊息，美光計劃從2024年開始，將EUV納入DRAM開發路線圖。美光在2021年推出了其1a nm記憶體節點DRAM，推出時該工藝依舊未使用EUV光刻技術，美光稱其儲存密度比之前的1z nm節點DRAM 提高40%。

今年5月26日，美光表示，將在中國臺灣中科新廠啟用後匯入最先進的極紫外光（EUV）裝置或用來生產1a nm DRAM製程。這是否是製程升級給美光帶來了新的壓力，我們不得而知。但是可以確定的是，三大DRAM廠商EUV競爭已進一步升級。

文章來源：全球半導體觀察 竹子