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三星確認解決良率問題,3nm GAA工藝本季度量產

三星確認解決良率問題,3nm GAA工藝本季度量產

集微網訊息,據韓媒報道,三星在第一季度財報電話會議中表示,目前已解決3nm 良率問題,3nm GAA 製程將在第二季度量產。

三星半導體代工事業部副總裁表示,預計二季度半導體代工市場仍將延續供不應求的局面,三星將繼續提高先進製程良品率率,積極響應大客戶需求,努力擴大供應和增加全球客戶訂單。此外,公司計劃在第二季度完成第一代GAA工藝質量驗證並在行業內首次實現量產,以確保技術領先於競爭對手。

其稱,其中5nm 工藝已經進入批次生產的成熟階段,而 4nm 晶片的產能將很快開始改善,透過改善 3nm 製程的節點開發體系,三星現在對每個開發階段都有一個驗證流程。

此外他還補充,下半年存在增長放緩、世界形勢不穩定等不確定因素,但受5G佔比提升、HPC需求旺盛等因素影響,預計代工供應短缺仍將持續。公司的目標是透過提高第一代GAA工藝的良率和穩定生產來擴大技術差距,實現下半年超越市場增長率的增長,同時縮短產量爬坡期,提高盈利能力,並確保更穩定的供應。

此前臺媒曾報道稱,三星正在努力提高其3nm GAA工藝良率,該工藝良率剛剛達到10%至20%之間,三星4nm工藝製造的良率也不盡如人意,僅為30%-35%。

市場訊息人士認為,三星第一代3nm GAA工藝將首先用於三星自研晶片的製造,該工藝不太可能被外部客戶採用。但該訊息人士稱,三星的第二代3nm工藝將為外部客戶的晶片設計做好準備,預計明年開始量產。

該訊息人士指出,臺積電在轉向GAA電晶體技術時是否會面臨良率問題還有待觀察。臺積電極有可能擁有基於GAA的2nm,目標是在2025年投產。

(校對/holly)