6月30日，據韓國媒體報道，三星電子有限公司已經開始在其位於韓國的華城工廠大規模生產3奈米職稱的半導體晶片，成為全球首家量產3奈米晶片的公司。

三星公司在一份宣告中說，與傳統的5奈米晶片相比，新開發的第一代3奈米工藝可以降低45%的功耗，效能提高23%，並減少16%的面積。此外，與前幾代使用FinFET的晶片不同，三星使用的 GAA（Gate All Around）電晶體架構，能將更寬的通道封裝在柵極中，以便電流流動，可以進一步改善功率效率。

值得一提的是，三星的此次突破，也意味著它在半導體制程工藝上有望實現對臺積電（TSMC）的趕超。事實上，臺積電是世界上最先進的代工晶片製造商，控制著全球54%的晶片合同生產市場，蘋果、高通等無法自行製造半導體晶片的廠商都是其客戶。

此前，臺積電CEO魏哲家曾透露公司同樣在按計劃推進3nm工藝製程的專案，計劃於2022年大規模量產；到2025年，實現2nm製程晶片的批次生產。不過，目前相關工藝製程晶片的專案進度如何，臺積電方面仍然沒有透露訊息。

長期以來，三星一直被臺積電“穩壓一頭”，是全球第二大合同晶片製造商或代工廠。這一回，你看好它透過3nm工藝製程晶片實現對臺積電的成功逆襲嗎？

【記者】許雋

【作者】 許雋

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