昨日，有外媒報道稱，三星對外公佈了其研製的3納米制程技術已經成功完成流片！根據所得知的情報來看，三星所研製出來的3納米制程是使用的是GAA架構，據說其在效能方面是完全能夠打敗臺積電的3nm FinFET架構的。

有相關報道稱，三星和新思科技共同合作完成了3納米制程的流片進度。之所以三星要和新思科技進行合作，主要的是為了更快地給GAA 構的生產流程供給更為完美最佳化的參考方案。再加上由於三星這次所研製出來的3納米制程使用的是GAA 的結構，是和英特爾或者是臺積電所使用的FinFET 的架構是完全不一樣的，因此三星公司需要另尋其他的嶄新的認證工具以及設計。這就是為什麼三星公司會選擇使用新思科技的Fusion Design Platform的原因。

問到為何三星要自己研製半導體這個問題，Sangyun Kim作為三星半導體設計技術團隊副總裁則對此問題表示，三星的半導體對於一個科技企業來說是十分重要的戰略資源，是對於推動產業創新進行下一步階段程序中不可或缺的關鍵物。正是由於這樣，所以，三星才要堅持不懈地發展、推進技術製程，從而進一步地滿足持續增漲的廣泛市場應用以及專業的需要。三星電子全新一代的3奈米GAA 結構製程技術和新思科技在Fusion Design Platform加快預熱當中進行深度合作，有利於3 納米制程技術的研製成功。由此可見，這些關鍵聯盟是有多麼大的好處，有多麼重要。

有相關報道稱，GAA架構實際上是一個四周繞著Gate的FinFET 架構。有專家對於GAA架構則表示，其電晶體在提供靜電特性方面上是要比FinFET要好的，正是這樣的特性對於滿足某些柵極寬度的需求是有幫助的。但這主要在同等尺寸結構的條件下，GAA 的溝道控制能力得到進一步的加強，這使得尺寸有可能能夠進一步地微縮。要與只有三面被柵極包覆的這般傳統FinFET相比較的話，GAA用奈米溝道設計則是會把溝道所有的外部都被柵極全部包起來，而這說明了柵極更好地控制了溝道。

對半導體相關知識有一定程度瞭解的朋友或許會知道3奈米 GAA 製程技術是有分類成3GAAP以及3GAAE這兩種架構。這兩款都是使用的是奈米片的結構設計，並且裡面還有許多橫向帶狀線。另外，三星公司還表示，由於該技術採用了這家公司絕大部分的FinFET製造技術和裝置，只要少量的光罩就能夠製造出來。所以，這樣的技術具有十分之高的可製造性。除此之外，其柵極可控性也是十分之優秀的。