眾所周知，我國在晶片半導體領域一直都處處受制於人，而造成這個結果出現的主要原因就是，以老美為首的西方國家對我們實施了技術“封鎖”。再加上，我們在該領域起步比較晚，發展早期又走上了“買辦”路線，長此以往導致我們徹底失去了話語權。

不過，好的一方面是，在華為事件之後，國內市場開始認識到了自主研發的重要性，同時也認清了海外企業的“真面目”，在關鍵時刻，海外企業一定是靠不住的，發生在俄市場的事情就是最好的證明。

其實，半導體晶片按其功能、結構的不同，可以分為計算晶片、儲存晶片、感知晶片、通訊晶片和能源晶片五大類，其中計算晶片和儲存晶片佔比較高，也是最難突破的。

不可否認的是，我國在計算晶片方面（CPU 、GPU）的技術比較薄弱，與世界先進企業存在較大的差距。而在儲存晶片領域內，三星、SK海力士、美光是最強的三個玩家，可以說幾乎壟斷了該領域。

然而，隨著一則訊息的傳來，似乎意味著國產儲存晶片的實力被低估了，同時也意味著國產晶片企業欲彎道超車。

因為就在近日，有訊息稱，國產晶片巨頭長江儲存計劃跳過192層，直接切入232層快閃記憶體生產。要知道，強如三星、SK海力士、美光等一流供應商，到明年初才能量產超200層快閃記憶體，而長江儲存越過192層，直接生產232層，達到了一線水平。

雖然該訊息未得到進一步的證實，但可以肯定的是，如果長江儲存真的能跳過192層3DNAND，在年底實現量產232層快閃記憶體晶片，那麼就意味著我國在儲存晶片領域的技術將達到國際先進水平。

值得一提的是，自從2016年成立開始，長江儲存的發展歷程可謂是充滿了自主研發的烙印，其在2017年透過自主研發設計製造了首款3DNAND快閃記憶體；2019年其開始量產晶棧 Xtacking架構的第二代3D TLC快閃記憶體；再到2020年，第三代TLC/QLC研發成功，推進到128層3D堆疊。

另外，此前有韓國研究機構出示了一份報告，稱中韓在快閃記憶體技術上的差距已經縮短至兩年，給出的理由是三星和SK海力士將在明年初量產超200層快閃記憶體，長江儲存則要到2024年。而如今看來，它們低估了我國在儲存晶片領域的實力。

總而言之，在舉國上下的團結努力下，我們完全有理由相信，國產晶片一定能突破西方國家的技術封鎖。試問一下，我國的兩彈一星、空間站、載人火箭、盾構機等那一樣不是在技術封鎖下成功自主研發出來的？更何況，晶片是人造的，而並非神造的。

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