6月28日訊息，《韓國日報》報道三星將於6月30日開始量產3奈米晶片。

2021年三星在年度晶圓代工論壇（SFF）上，介紹了其基於GAA 電晶體結構的3奈米和2奈米工藝節點的路線圖，按照計劃三星將於2022年上半年生產3奈米晶片，採用環繞閘極技術 （ GAAFET） 技術。

BusinessKorea報道，三星6月初已匯入3奈米GAAFET製程，進行試驗性量產，成為第一家運用GAAFET技術的公司。今年6月22日，市場傳來三星因良率遠低於目標延遲3奈米晶片量產的訊息，對此三星迴應表示仍按進度開始量產3奈米晶片。

三星希望藉助GAA技術，在先進製程領域趕超晶圓代工龍頭企業臺積電。與當前的FinFET（鰭式場效應電晶體）工藝相比，GAA工藝可讓芯片面積減少45%的同時提升30%的效能，功耗降低50%。

稍早之前，臺積電對外公佈了最新技術路線圖，該公司3納米制程節點仍將採用FinFET工藝，第一個3奈米級節點（N3）晶片，有望在今年下半年量產，實體產品將於2023年初交付客戶。

除了3奈米“撞檔”之外，三星與臺積電在2奈米晶片量產時間上同樣有“默契”的選擇。三星計劃2025年量產採用GAA技術的2奈米晶片，臺積電也將於2025年量產2奈米（N2）晶片，並將採用GAAFET工藝，以取代FinFET工藝。

附：臺積電最新技術路線圖

近期臺積電展開2022年臺積電技術研討會北美場，分享製程技術發展藍圖及未來計劃。

其中，臺積電初始3奈米節點被稱為N3，有望在今年下半年開始量產，並從明年初交付給客戶。與N5相比，臺積電N3功耗降低25%到30%，效能提升10% 到15%。此外，臺積電還將於未來幾年推出N3E、N3P、N3S和N3X四種N3衍生製造工藝。

2奈米（N2）方面，臺積電透露，N2工藝節點將首次使用GAAFET架構，計劃在2025年投產。作為全新的平臺，N2 將廣泛採用EUV極紫外光刻。新的環柵電晶體結構將大大降低漏電流並提高效能、降低功耗：同等功率和電晶體數量下效能提升10%到15%，或者同等頻率和複雜度下功耗降低 25%至30%。同時，N2的節點密度將是N3E的1。1倍以上。

除了移動計算基準版本之外，N2技術平臺還包括一個高效能版本，以及全面的小晶片整合解決方案。（文：全球半導體觀察）

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