終於，在2022年上半年的最後一天，三星宣佈3nm晶片量產，成為全球第一家量產3nm晶片的廠商，實現了三星的第一個小目標——領先臺積電，兌現了自己的承諾。

同時三星也表示，3nm晶片相比於自己的5nm晶片，效能提升了23%，功耗降低了45%，芯片面積縮小了16%。

不得不說，這些數值也表現非常棒，特別是功耗降低45%，讓下游的客戶心動不已。畢竟當晶片進入到5nm之後，功耗大增，已經讓廠商們頭痛不已了。

特別是高通，自從晶片進入5nm之後，由於功耗太大，發熱量也上升，於是驍龍888、驍龍8Gen1都獲得了“火龍稱號”。

如果3nm能夠降低45%功耗，想必高通是最興奮的廠商之一，因為“馴龍”有戲，“火龍”有救了啊。

那麼問題來了，為何三星的3nm工藝，能降低45%的功耗？原因在於三星採用了GAAFET電晶體技術，而之前從14-4nm，採用的是FinFET電晶體技術。

對於一顆晶片而言，功耗分為兩個部分，一個部分是動態功耗，一部分是靜態功耗（又稱漏電功耗）。

動態功耗是指晶片進行計算時，本身的功耗。而靜態功耗，則是晶片加上電之後，電流透過電晶體時，洩露的功耗。

別小看靜態功耗，靜態功耗才是大頭，佔一顆晶片總功耗的60%以上，晶圓廠一直就在與靜態功耗（漏電功耗）對作，比如英特爾，一直就在講自己的漏電功功降低了。臺積電之前有個“臺漏電”的稱號，也是講這一塊控制得不佳。

而使用GAAFET電晶體技術時，由於技術更先進，相比於FinFET技術，加到電晶體上的電壓（閾值電壓）變小了。大家回憶下初中物理知識，功率=電流X電壓。

當電壓變小時，是不是功耗就變小了？由於GAAFET相比FinFET的閾值電壓要低30-50%，所以靜態功耗理論上也就變小30-50%。

再加上3nm工藝更精細，在動態功耗上也會有降低，以及GAAFET電晶體技術，本身漏電情況也會稍好一點，所以最終實現了45%的功耗降低。

而三星還表示第二代 3 奈米 GAA 製造工藝也正在研發中第二代工藝將使晶片功耗降低達 50%，效能提高 30%，面積減少 35%。

可以說，三星的3nm工藝，比依然採用FinFET工藝的臺積電3nm，真的是更有優勢的。

考慮到當前臺積電已經綁定了蘋果、AMD等廠商，三星為了搶臺積電的市場，這次是擁抱中國廠商了，據媒體報道稱，上海磐矽半導體將成為最初的客戶之一，另外還有更多的中國企業，可能會率先與三星合作3nm。

不知道接下來臺積電如何應對，基於FinFET技術，本來就落後一些，現在時間又落後一些，臺積電已經處於劣勢了。

就看三星3nm的率良高不高了，如果良率高，表現好，這一把說不定真有翻身機會，就像當年三星在FinFET技術上，率先實現14nm一樣。