實現國產高階晶片製造，還需要多久，

答案或許比你想象的要快

。隨著國內越來越多的半導體企業加入晶片研發，國家隊也正式出馬，中科院等多個頂尖科研單位，已加入到晶片製造，甚至是光刻機的研發中。

一步一個腳印，國產半導體行業捷報連連，晶片自主可控離我們還有多遠？咱們先來看看這段時間以來，

國產半導體產業鏈有哪些突破！

1、

離子注入機

，中國電科旗下裝備子集團在22日對外宣佈，已成功實現離子注入機全譜系產品國產化，可為全球晶片製造企業提供離子注入機一站式解決方案。

離子注入機是晶片製造環節中至關重要的一環，它透過改變晶片內載流子的分佈，從而達到所需的電引數和電效能，透過離子注入，不僅可以提高晶片的成品率，還能讓晶片更穩定，具有更好的效能。

在整個積體電路產業鏈中，離子注入機佔製造裝置的10%左右。

2、

中芯國際N+1工藝已進入流片階段，

且與阿斯麥在成熟製程工藝方面恢復了合作，在不久的將來，新購的DUV光刻機將為中芯國際提升產能。

中芯國際N+1工藝對標的是臺積電7nm工藝，所採用的工藝也是Finfet，如果此次中芯國際流片成功，也就意味著我國已掌握了7nm製程工藝技術。

3、

EUV光源

。在2月25日，清華大學工程物理系教授唐傳祥研究組聯合國外科研人員釋出了一項重大科研成果。具體原理小編不清楚，但有望為光子科學研究提供廣闊的新機遇。

在光刻機方面，EUV光源是實現先進製程的關鍵，DUV能夠達到7nm製程已是極限。所以要實現7nm以下的製程工藝，EUV光源不可或缺。清華大學此次突破為我國未來實現先進製程工藝，打下了基礎。

如果高階晶片製造成功，對國內科技企業將帶來很大推動作用

，華為重回智慧手機前三，將變得輕而易舉。不少人在擔心晶圓、光源、光刻膠等晶片製造輔助材料和技術，其實這些技術國內都有，只是過去的技術不太先進，缺乏整合產業鏈的整合。

在龐大的資金、資源和人才的努力之下，國產晶片的製造水平，已不可同日而語，會以很快的速度，實現高速技術積累，並最終實現突破。

總之，

雖然有突破，但是也要看清現實

，因為半導體領域涉及面很廣泛，從原材料、設計軟體、製造工具，工藝等環節需要攻克的難點很多，特別是先進製程這塊。這段時間來半導體領域的各項突破就可以說明，只要我們堅持不懈，總有一天會實現自主可控。

2025年實現晶片自給率70%，這是保守估計，也應該是晶片能力提升的最慢預測。按照目前的進展，

晶片國產化的速度會比想象的要快很多

，不能僅看技術難度，也要看到中國科學家的能力和實力。