正式確認!中芯國際公佈資料,梁孟松說對了
時間:2022-05-17
時間:2022-05-17
時間:2022-03-11
根據三星的說法,與7nm製造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,效能提高了約35%,紙面引數上來說卻是要優於臺積電3nm FinFET工藝...
時間:2022-03-10
金氧半導體場效應電晶體(MOSFET,即微處理器中使用的電晶體)自1959年誕生以來,其形狀和材料都發生了變化,但基本結構(柵極疊層、溝道區域、源極和漏極)一直保持不變...
時間:2021-08-08
新的垂直輸運場效應電晶體(VTFET)設計意在繼承目前一些最高階晶片使用的FinFET技術,使晶片的電晶體密度比現在更高...
時間:2021-12-16
在上個世紀,人類製造的所有晶片的電晶體都採用了這種結構,柵極的厚度也就是晶片的製程工藝...
時間:2021-12-15
報道顯示,三星3nm製程採用的是GAA架構,從效能角度來說要勝於臺積電3nm採用的FinFET架構...
時間:2021-06-30
而據MacRumors的最新報道,蘋果和臺積電正在計劃使用臺積電 5nm 工藝的升級版製造第二代蘋果的矽晶片,該晶片將包含兩個晶片,可以允許包含更多的核心...
時間:2021-11-07
時間:2021-08-30
時間:2021-10-10
只可惜時至今日,英特爾依舊沒能達成願望,甚至還因為涉及到FinFET結構的專利問題,被中科院多次索賠...
時間:2021-09-13
再加上由於三星這次所研製出來的3納米制程使用的是GAA 的結構,是和英特爾或者是臺積電所使用的FinFET 的架構是完全不一樣的,因此三星公司需要另尋其他的嶄新的認證工具以及設計...
時間:2021-06-30
時間:2021-03-23
因為你不能改變FinFET中fin的高度,用今天的電晶體提高Weff的唯一方法就是在每個電晶體上增加更多的fin...
時間:2021-03-07
而英特爾早在2011年就開始採用FinFET技術生產晶片,而且都涉及到專利侵權...
時間:2021-09-13
時間:2021-09-01
時間:2021-09-01
時間:2021-07-07
據媒體報道,三星採用全環繞柵極架構(Gate-All-Around FET,GAA)的3納米制程技術已正式流片,效能上優於臺積電的鰭式場效應架構(FinFET)...
時間:2021-06-30
另外,該製程技術具有出色的柵極可控性,這比三星原本採用的 FinFET 技術高 31%,且因為奈米片通道寬度可透過直接影象化來改變,這就給設計提供了靈活性...
時間:2021-06-30