我們都知道，構成SSD的主要IC有主控晶片和NAND快閃記憶體，目前快閃記憶體製造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你瞭解快閃記憶體產品的核心—NAND快閃記憶體晶片的分類。

NAND快閃記憶體，是用於SSD和儲存卡的一種非易失性儲存體系結構。它的名字來源於邏輯閘（NOT-AND），用於確定數字資訊如何儲存在快閃記憶體裝置的晶片中。它可以分為SLC、MLC、eMLC和TLC，下面我們具體瞭解一下。

穩定性對照

耐力對照

SLC

SLC（Single-Level Cell，單層單元）SSD在每個單元中儲存一個Bit，這種設計提高了耐久性、準確性和效能。對於企業的關鍵應用程式和儲存服務，SLC是首選的快閃記憶體技術。當然，它的價格最高。

MLC

考慮到快閃記憶體的消費級特性，MLC（Multi-Level Cell，多層單元）架構可以為每個單元儲存2個Bit。儘管在儲存單元中儲存多個Bit似乎能夠很好地利用空間，在相同空間內獲得更大容量，但它的代價是使用壽命降低，可靠性降低。相對而言，MLC SSD使得在PC和膝上型電腦上增加快閃記憶體成為可能。

eMLC

eMLC（Enterprise Multi-Level Cell，企業多級單元）是MLC NAND 快閃記憶體的一個“增強型”的版本，它在一定程度上彌補了SLC和MLC之間的效能和耐久差距。eMLC驅動器比MLC驅動器貴，但比SLC驅動器便宜得多。儘管每個單元仍然儲存2個Bit，但eMLC驅動器的控制器管理資料放置、磨損均衡和一些其他儲存操作延長了eMLC SSD的使用壽命。

TLC

相較於SLC和MLC的Nand快閃記憶體，最便宜的是TLC（Triple-Level Cell，三層單元）NAND快閃記憶體，每個單元儲存3Bit。通常用於效能和耐久性要求相對較低的電子產品，最適合於包含大量讀取操作的應用程式，但是隨著快閃記憶體體系結構的最新改進，3D TLC NAND Flash對持久增強的資料放置和錯誤糾正技術，使該技術在讀密集型企業儲存應用程式和工業儲存環境中開始了批次使用。

總而言之，每種型別的NAND快閃記憶體都有不同的使用壽命，這意味著它會在SSD降級並最終失效之前提供有限數量的P/E週期。當然，除了製造缺陷，電力激增或其他災難性的破壞可能導致SSD的失效，這也是決定SSD支援的儲存工作負載和應用程式型別的主要影響因素。