據富士康官方訊息，11月26日上午，

富士康半導體高階封測專案投產儀式在青島西海岸新區舉行

。伴隨著首條晶圓級封裝測試生產線順利啟動，專案

正式進入生產運營階段

。

富士康半導體高階封測專案於2020年4月正式簽約，7月開工建設，12月主體封頂，從開工到量產僅用時18個月。

該專案是

富士康科技集團首座晶圓級封測廠

，透過匯入全自動化搬運、智慧化生產與電子分析等高端系統，打造業界前沿的工業4。0智慧型無人化燈塔工廠。專案計劃於2025 年達產，

預計達產後月封測晶圓晶片約3萬片

。

據悉，富士康將運用扇出型封裝和晶圓鍵合堆疊封裝技術，業務主要面向目前需求量快速增長的

5G 通訊、人工智慧

等應用晶片。

值得一提的是，

該專案所採用的光刻機裝置為中國光刻機龍頭企業上海微電子（SMEE）製造的封裝光刻機

，對於降低國外市場依賴有重要意義。據青島西海岸新區國際招商訊息，光刻機裝置已於此前的7月20日完成了裝置進場儀式。

成立近20年，專注於光刻機等半導體裝備開發

早在2002年，光刻機就被列入國家863重大科技攻關計劃，上海微電子裝備有限公司也由此成立。

上海微電子裝備（集團）股份有限公司，簡稱SMEE，

主要致力於半導體裝備、泛半導體裝備、高階智慧裝備的開發、設計、製造、銷售及技術服務

。公司裝置廣泛應用於積體電路前道、先進封裝、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等製造領域。

上海微電子光刻機產品（來源：上海微電子）

據上海微電子官網介紹，其主要生產

SSX600

和

SSX500

兩個系列的光刻機。

9月推出新一代先進封裝光刻機，與多家客戶達成銷售協議

9月19日，上海微電子官方釋出訊息稱，公司於9月18日舉行新產品釋出會，宣佈推出

SSB520型新一代大視場高解析度先進封裝光刻機

。

據介紹，此次推出的新一代先進封裝光刻機主要

應用於高密度異構整合領域

，具有

高解析度、高套刻精度和超大曝光視場

等特點。可以幫助晶圓級先進封裝企業實現多晶片高密度互連封裝技術的應用，滿足異構整合超大晶片封裝尺寸的應用需求，同時將助力封裝測試廠商提升工藝水平、開拓新的工藝。

上海微電子表示，目前公司已與多家客戶達成新一代先進封裝光刻機銷售協議，

首臺將於年內交付

。

據上微電子官網資訊顯示，新一代封裝光刻機品投影物鏡系統全面升級，可滿足0。8μm解析度光刻工藝需求，極限解析度可達0。6μm；透過升級運動、量測和控制系統，套刻精度提升至≤100nm，並能保持長期穩定性。

此外，曝光視場可提供53mm×66mm（4倍IC前道標準視場尺寸）和60mm×60mm兩種配置，可滿足異構整合超大晶片封裝尺寸的應用需求。

原計劃年底推出28nm光刻機，傳聞卡在了“02”專項驗收？

現階段， 高精度的IC晶片光刻機長期由ASML、尼康和佳能三家把持，其中ASML市場地位極其穩固，是高階光刻機壟斷者。據悉，英特爾、臺積電、三星用來加工 14/16nm晶片的高階光刻機均來自ASML。面對國外對光刻機技術的壟斷，我國企業在光刻機制造上正有所努力與突破。

此前有訊息稱，上海微電子有望在今年第4季度交付第二代深紫外光（DUV）微影裝置。該裝置可使用28nm工藝生產晶片，並使用國產和日本製零元件，為國內半導體產業擺脫對美國的依賴跨出重要一步。

但

近日有網路傳聞稱，上海微電子的“28nm光刻”（傳聞型號為SSA800/10W）機沒有透過02專項的國家驗收

，無法在2021年底完成，28nm光刻機卡住了“02專項”，面對美國的夾擊與國產替代的急迫性，光刻機的國產化程序仍是一個任重而道遠的漫長過程。

* 該款28nm光刻機實際指的是可以被用於28nm晶片製造的光刻機，即193nm ArF浸潤式DUV光刻機（193nm指光源的光波長），且使用該光刻機經過多次曝光可以支援7nm製程的晶片製造。

注：文內資訊僅為提供分享交流渠道，不代表本公眾號觀點

推薦報告