數碼國星光電參與兩項碳化矽團體標準起草及討論會近日,國星光電受第三代半導體聯盟標委會(CASAS)邀請參與了《碳化矽金氧半導體場效應電晶體(SiC MOSFET)熱阻電學法測試方法》、《碳化矽金氧半導體場效應電晶體(SiC MOSFET)功率迴圈試驗方法》兩項團體標準的起草...時間:2021-06-20標籤:SiC 半導體 MOSFET 碳化矽 場效應
數碼葉如龍:華為公開“石墨烯場效應電晶體”專利,涉半導體領域一種石墨烯場效應電晶體,包括:襯底、第一柵電極、第二柵電極、第一柵介質層、第二柵介質層、溝道層以及源電極和漏電極...時間:2021-04-02標籤:電極 溝道 第一 石墨 場效應