公司專注於化合 物半導體材料的研發與應用，以砷化鎵、氮化鎵、碳化矽、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導 體新材料所涉及的外延片、晶片為核心主業，產品應用廣泛，包括照明、顯示、背光、農業、 醫療、微波射頻、鐳射通訊、功率器件、光通訊、感應感測等領域...

時間：2022-07-28標籤：碳化矽 器件 LED SiC mini 

減小晶片散熱路徑上的熱阻是封裝散熱技術的關鍵，一方面，利用高導熱係數材料，另一方面可以減少封裝的層疊結構，如：DBC 直連散熱器、微通道液冷散熱器整合及晶片直接散熱方式等均為碳化矽器件的散熱提供了更多的可能...

時間：2022-03-05標籤：封裝 晶片 碳化矽 模組 散熱 

不過，針對蔚來的問題就來了，雖然採用ET7上的電機應用了碳化矽功率模組，那為什麼它依舊是現在較為成熟的400V平臺呢...

時間：2021-10-31標籤：碳化矽 電機 800V 蔚來 平臺 

54%）壓型廠全年碳化矽破碎量超萬噸2019年，承擔方大炭素碳化矽破碎裝袋任務的壓型廠交上了一份增量創效優異答卷，全年完成碳化矽破碎量超萬噸，保證了碳化矽正常發貨...

時間：2021-07-07標籤：碳化矽 炭素 方大 破碎 2019 

*免責宣告：轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表今日半導體對該觀點贊同或支援，內銅陵經濟技術開發區訊息，11月27日，安徽微芯長江半導體材料有限公司舉行年產15萬片碳化矽晶圓片專案建築工程竣工慶典儀式...

時間：2021-11-29標籤：碳化矽 萬片 晶圓片 專案 半導體 

而砷化鎵的襯底和外延技術穩定且成本佔比相對較低，但是發展模式上越來越多砷化鎵射頻供應商提高使用代工的比例，因此射頻IDM廠商和砷化鎵代工廠都是核心受益環節...

時間：2021-11-25標籤：碳化矽 SiC 襯底 器件 砷化鎵 

為了實現碳中和，我們需要將現在化石能源生產轉變為清潔能源和可再生能源，意法半導體亞太區功率分立和模擬產品器件部市場和應用副總裁Francesco MUGGERI表示：“其中與電子相關的主要有兩個方向——風能和太陽能...

時間：2021-11-22標籤：碳化矽 半導體 碳中 ST SiC 

△Source：東尼電子公告截圖根據此前的公告，東尼電子此次募集資金將用於年產12萬片碳化矽半導體材料專案和補充流動資金...

時間：2021-11-25標籤：東尼 碳化矽 電子 12 半導體 

襯底製備各環節流程及難點 來源：東興證券外延與傳統的矽基器件不同，碳化矽襯底的質量和表面特性不能滿足直接製造器件的要求，因此在製造大功率和高壓高頻器件時，不能直接在碳化矽襯底上製作器件，而必須在單晶襯底上額外沉積一層高質量的外延材料，並在外...

時間：2021-12-02標籤：碳化矽 器件 襯底 晶圓 材料 

圖片來源：拍信網正版相簿牽手東莞天域，互補共贏近日，合肥露笑與東莞天域簽署了《戰略合作協議》，雙方之間的全面戰略合作聚焦第三代新型寬禁帶半導體碳化矽材料、外延、器件、模組、等應用，將發揮各自的優勢推動碳化矽半導體材料與晶片的科技研發及產業化...

時間：2021-11-24標籤：碳化矽 露笑 襯底 天域 研發 

再次說回使用體驗層面，在更強大、更精準的域控制器幫助下，使中央處理器能夠對車輛上的每一個用電器都做到100%可控，例如在路邊等人時，只對空調、座椅調節、音樂等所需功能供電，提升車輛的續航里程，這些都是透過平臺架構的改變帶來的...

時間：2021-11-20標籤：小鵬 G9 充電 SiC 碳化矽 

露笑科技指出，本次戰略合作合一充分發揮東莞天域半導體在碳化矽外延、晶片、器件、模組等研產優勢和合肥露笑半導體在碳化矽底材料及相關專用裝備的研產優勢，實現優勢互補，全面開展碳化矽全產業鏈深入、務實的戰略合作...

時間：2021-11-24標籤：碳化矽 露笑 半導體 天域 東莞 

圖片來源：同花順三安光電作為化合物半導體龍頭企業，LED 主業逐漸趨穩，格局最佳化、產能出清，在砷化鎵、氮化鎵、碳化矽及濾波器等領域積極佈局...

時間：2021-11-12標籤：三安 光電 半導體 碳化矽 化合物 

華為《數字能源2030》白皮書指出，隨著碳化矽材料和工藝的進一步成熟，諸如SiC MOSFET這類高效功率半導體器件在軌道交通、工業電源、民用家電等領域的滲透率將快速提升，預計2030年，光伏逆變器的碳化矽滲透率將從目前2%增長到70%以上...

時間：2021-11-16標籤：碳化矽 器件 瞻芯 晶片 半導體 

今年1月，SK集團向生產SiC功率半導體的韓國企業Yes Power technologies投資268億韓元，收購了該公司33...

時間：2021-11-11標籤：泰科 天潤 SK 碳化矽 SiC 

華為《數字能源2030》白皮書指出，隨著碳化矽材料和工藝的進一步成熟，諸如SiC MOSFET這類高效功率半導體器件在軌道交通、工業電源、民用家電等領域的滲透率將快速提升，預計2030年，光伏逆變器的碳化矽滲透率將從目前2%增長到70%以上...

時間：2021-11-15標籤：碳化矽 器件 瞻芯 晶片 SiC 

國內廠商三、碳化矽（SiC）-第三代半導體材料SiC材料作為襯底已實現規模化應用，經過外延生長、器件製造等環節，可製成碳化矽基功率器件和微波射頻器件，在碳化矽晶片成本結構中 60%-70%是襯底和外延片，其中襯底約佔 40%-50%，是第三...

時間：2021-09-29標籤：襯底 碳化矽 晶片 單晶 半導體 

Tektronix示波器及光隔離探頭結合忱芯科技開發的Edison系列碳化矽功率半導體器件動態特性測試系統，該系統擁有高速、高頻、高可靠驅動電路（共模瞬變抗擾度高達100V/ns）、超低迴路雜感先進疊層母排（小於10nH）、獨家雙脈衝引數算...

時間：2021-11-12標籤：碳化矽 半導體 測試 器件 泰克 

（三安整合產業佈局）隨著業界對 SiC SBD 和SiC MOSFET的熟悉程度和應用經驗越來越高，兩者的使用量也會急劇上升，從而帶動兩者價格的下降，這又會反過來推動寬禁帶功率半導體被更大規模的使用，形成良性迴圈...

時間：2021-11-08標籤：SiC 三安 MOSFET 半導體 碳化矽 

碳化矽器件領域代表性的企業中，目前來看在國際上技術比較領先的是美國的Cree，其覆蓋了整個碳化矽產業鏈的上下游（襯底-外延-器件），具有核心的技術...

時間：2021-11-04標籤：碳化矽 器件 襯底 半導體 英寸