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傳旗艦晶片設計欠佳,高通轉單臺積電仍耗能高於預期

傳旗艦晶片設計欠佳,高通轉單臺積電仍耗能高於預期

集微網訊息 先前傳出三星電子良率差,影響高通旗艦晶片“Snapdragon 8 Gen 1”表現,高通因而轉單臺積電。臺灣媒體最新訊息稱,改由臺積電代工後,增強版“Snapdragon 8 Gen 1 Plus”耗電量仍高於預期,高通恐怕得被迫降頻。

30日高通大跌5。18%,收152。73美元。今年以來,高通挫低16。48%。

NotebookCheck 30日報導,韓國科技論壇Meeco的可靠爆料人,引述訊息人士說法稱,高通增強版旗艦晶片Snapdragon 8 Gen 1 Plus的Cortex X2核心相當耗能;高頻率吃電狀況尤為嚴重。外界原以為高通處理器耗電,是因三星製程欠佳,雖然此說法有一定程度真實性,新訊息顯示,高通Arm核心設計或許也導致處理器表現差強人意。

高通可能得降頻處理器Cortex X2核心。這表示Snapdragon 8 Gen 1和Snapdragon 8 Gen 1 Plus效能差異不會太大。儘管如此,有臺積電加持,Plus增強版晶片表現仍有望優於非Plus系列。

外界盛傳Snapdragon 8 Gen 1 Plus將在6月釋出。通常一個月後,採用此晶片的智慧手機就會問世。多款中國大陸廠商的旗艦機將使用此處理器,包括OnePlus 10 Ultra、華為Mate 50、小米Mix Fold 2、小米12 Ultra。(校對/LL)