首先中芯國際最先進可量產技術是14nm的工藝，2020年底可量產N+1工藝（介於10nm-8nm），外界推測中芯國際2022年能實現才能實現7nm工藝的量產，2024年進入5nm量產的階段。這是現階段中芯國際的情況。那麼排名第一的臺積電又如何呢？目前臺積電已經可以量產7nm和5nm的工藝，根據臺積電官方給出的訊息，2021年臺積電可風險量產3nm的工藝，2022年可量產3nm工藝。

而業界普遍認為3nm是現在FinFET工藝的極限，需要下一代工藝來支撐摩爾定律的延緩，目前業界看好的是GAA，而臺積電已經宣佈會在找到了GAA的切入口，會在2nm工藝上採用GAA技術，而中芯國際估計要切入GAA沒那麼快。所以在製程工藝上，從現有得的訊息看，臺積電的工藝領先於中芯國際四代，分別是10nm工藝，7nm，7nm EUV，5nm，如果ASML一直不提供EUV光刻機，中芯國際將在未來十年內停留在14nm工藝。

目前臺積電用的是極紫外光的EUV光刻機，而中芯國際還是用深紫外光的DUV光刻機，目前DUV光刻機的極限只能製造7nm的晶片，如果想要製程繼續往下探，必須藉助EUV光刻機。

但是EUV光刻機中芯國際不是想買就能買到，中芯國際為了在先進製程有所作為，早在2018年就向荷蘭的AMSL訂購樂一臺EUV光刻機，但是經過多方阻撓，這臺光刻機依然沒能從荷蘭運過來。因為有瓦納森協定，這個協定可以理解為一群搞技術的在商討如何阻擾圈外的人得到他們的技術，根據協定，我們國內企業能得到光刻機只能是落後兩代的儀器，所以今天看到的是臺積電用的是EUV光刻機的最新改進型號，而中芯國際只能落後的DUV光刻機。

所以在技術和裝置上，臺積電有著無可比擬的優勢，而且市場份額上臺積電佔到一半，而中芯國際也只有5。34%，達十倍的差距。其實只要中芯國際能支撐國產晶片的發展，目前先進的製程只有手機晶片才用得到，目前主要耕耘好14nm和實現量產7nm就足以，要知道現在臺積電賺錢的還是28-14nm，工廠就在南京，而把臺積電14nm的份額轉到中芯國際才是更要考慮的方向。