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近日，

臺積電宣佈啟動1.4nm晶片製程工藝的開發，將在今年6月將其3nm工藝研發團隊轉為1.4nm工藝研發團隊，

與此同時，有訊息稱，三星對此也將採取相應措施。

此番“互動”意味著先進工藝的技術競爭已經變得愈發激烈。

此前，三星在“Foundry Forum 2021”上宣佈，將於2025年大規模生產2nm製程晶片。隨後，三星負責人在董事會報告中提到在3nm的產能上已經得到重大改善，在邏輯面積效率上提高了45%，功耗降低了50%，在效能上提升了35%。英特爾此前也宣佈，將在2024年正式進入埃米時代，並推出第一個埃米時代的產品——Intel 20A。

作為先進製程領域內（7nm及以下工藝製程）的臺積電、三星、英特爾三家企業，競爭相當激烈。

隨著晶片工藝尺寸進一步微縮，技術挑戰也在不斷增加，儘管困難重重，這三家企業在先進製程領域的投入絲毫沒有降低。

2022年，臺積電預計資本支出將達400億美元至440億美元，而70%~80%的資本支出將用於先進工藝製程（7nm及以下工藝製程）；三星不僅計劃在半導體方向投入超360億美元，還宣稱將在代工業務層面著力提高先進工藝的良率，力爭2022年上半年透過第一代GAA工藝的量產透過技術保持領先；英特爾在2022年的資本開支或將高達280億美元，甚至一度傳出擬將3nm晶片委託給臺積電代工，以提升其在更先進製程方面的競爭力。

目前來看，

臺積電和三星在先進晶片製造工藝上，處於世界前列，英特爾目前還在為了7奈米而努力，而臺積電和三星的5奈米早已經實現量產。

臺積電良率更高，但是包括三星在內，美國還是力邀臺積電和三星都去美國建設晶片廠。

然而時間已經過去了兩年，臺積電在臺灣的3奈米工廠，都已經具備量產能力，但是在美國的5奈米工廠、裝置都還沒有匯入。三星方面，其近年來的良率問題，一直制約著其與臺積電的競爭，就連之前已經下單的客戶，又轉單臺積電，例如高通。所以

整體來看，三星和臺積電到美國建廠，其實美國起碼到現在，還沒有獲得多少實質的好處。

近日媒體報道：美國開始聯合日本，一起研發2奈米等更先進的晶片工藝。也就是說，

美國要對臺積電在先進晶片製造工藝上發起挑戰，在先進製程上期望未來可以佔據主動權。

所以，臺積電制定了新的規劃，將其3奈米工藝研發團隊，轉戰研發1。4奈米。美國在努力向著2奈米工藝前進，但是臺積電直接向2奈米的下一代工藝發起挑戰，

說明臺積電3奈米工藝已經比較成熟了，3奈米工藝的研發使命已經完成，攻堅1.4奈米工藝。

這同時也意味著，臺積電2奈米工藝有序進行。因為2奈米工藝是3奈米工藝和1。4奈米工藝間的重要跨越，但是臺積電並沒有將其3奈米研發團隊，去助力2奈米研發團隊，可見其技術將在密度和效能上領先。

美國英特爾近年來一直在希望重振其代工製造產業，

根據其公佈的工藝路線圖，將在2025年、最早2024年推出18A工藝（18埃米、1。8奈米技術），但是，1。8奈米是一個尷尬的技術，因為按照工藝的發展節奏，都是按照0。7倍進行迭代。例如10奈米之後是7奈米，7奈米之後是5奈米，因此2奈米之後，就應該是1。4奈米，而不是1。8奈米。

因此臺積電進入1.4奈米工藝研發，就是對英特爾的一次降維打擊，英特爾的技術將處於落後狀態。也是對美日聯合合作意圖的明確表態。

整體來看，美日要聯合合作、對臺積電發起了挑戰，但是臺積電有一定的競爭優勢：3奈米穩定量產；2奈米在有序進行（美日剛剛開始合作）；研發1。4奈米領先英特爾的1。8奈米。

從歷史上看，臺積電從2017年的7奈米時從工藝製程技術方面超過英特爾，

到如今它3奈米計劃在今年下半年量產，訂單已滿，具有一定的競爭優勢

，主要得益於臺積電的服務客戶第一理念、代工文化、人才聚集、持續投資、優秀的企業管理，以及擁有張忠謀的戰略領導力。

由於目前半導體的基本原理未變，晶片製造是項工程技術，它與生產線的協同管理及人才等有關，臺積電在這方面佔有一定優勢，未來先進工藝製程技術競爭中，

光刻佔相當重要地位，而臺積電與ASML在光刻技術方面合作很深很久。

只要臺積電不犯策略性的大錯，應該會保持一段時間領先地位，

但客觀地講，在先進工藝製程等方面，由於採用的裝置一樣，以及技術路線方面無大的差異，

臺積電與其他公司的差距會逐漸縮小。這也令臺積電要快馬加鞭！