為了應對市場需求不斷增長的狀況，半導體相關企業擴產動作頻繁。近日臺積電、三星、ASML、日本電裝傳來新訊息。
臺積電：或1萬億新臺幣擴產2nm
近期相關報道顯示，臺積電在2nm和3nm工藝的開發上取得了不錯的進展，且臺積電方面將準備研發1。4nm工藝。
2nm工藝方面
2nm工藝方面，據中國臺灣經濟日報報道，臺積電將砸1萬億新臺幣（約2290億元人民幣）在臺中擴大2nm產能佈局，有望在中清乙工建設半導體產業鏈園區。目前，臺積電正向相關部門提出設廠用地需求。
此前，臺積電總裁魏哲家在法說會上表示，臺積電2nm預期會是最成熟與最適合技術來支援客戶成長，臺積電目標是在2025年量產。
據悉，臺積電將在2nm的節點推出Nanosheet/ Nanowire的電晶體架構，另外還將採用新的材料，包括High mobility channel、2D、CNT等，其中2D材料方面，臺積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用在電晶體上。
3nm工藝方面
3nm工藝上，臺積電今年4月上旬公開表示，該公司在3nm工藝開發上取得突破。其中在今年8月將可能率先投片第二版3nm製程的N3B，2023年第二季度將有可能量產3nm製程的N3E，比預計提前了半年。
據悉，第二版3nm製程N3B，將在新竹12廠研發中心第八期工廠及南科18廠P5廠同步投片，正式以鰭式場效電晶體（FinFET）架構，對決三星的環繞閘極（GAA）製程。據悉，臺積電初步規劃新竹工廠每月產能約1萬至2萬片，臺南工廠產能為1。5萬片。
此外，據Business Korea報道，臺積電打算在6月份將其N3製程節點的團隊做重新分配，以組建1。4nm級製造工藝的研發隊伍。
三星：加快3nm量產速度
近日，據韓媒訊息，三星晶片及代工高層大洗牌，目前三星電子已撤換負責開發下一代晶片的半導體研發中心負責人，新的負責人由副總裁兼Flash開發部門負責人Song Jae-hyuk 擔任。
晶圓代工業務方面，三星指派半導體裝置解決方案部門的全球製造與基礎設施副總裁Nam Seok-woo兼任晶圓代工製造技術中心負責人，同時還任命儲存器製造技術中心副總裁Kim Hong-shik帶領晶圓代工技術創新團隊。
2021年底，三星曾全面撤換半導體、手機、消費電子三大事業主管，並將手機及消費電子事業合併，將經營重心轉向半導體。時隔半年，三星又將記憶體業務大將部署至晶圓代工事業，積極推進晶圓代工事業發展。
三星的代工業務備受壓力。此前，業內傳出三星4nm工藝良率只有35%，使得高通、英偉達、AMD等廠商將部分產品交由臺積電代工。
目前三星正加快3nm量產速度。今年4月末三星宣佈將在本季度開始使用3GAE（早期3nm級柵極全能）工藝進行大規模生產。近日，官方訊息顯示，預計最快今年6月量產3nm製程。
三星集團5月24日發表宣告表示，計劃在截至2026年的五年內，將支出增加30%以上，達到450萬億韓元（約合3600億美元），以支援從晶片到生物製藥等領域的業務。
ASML：2億美元擴建威爾頓工廠
據《科創板日報》訊息，近日，ASML宣佈將斥資2億美元擴建其位於康涅狄格州威爾頓的工廠。據悉，ASML Wilton是ASML在美國最大的研發和製造基地。
隨著英特爾、三星、臺積電等晶圓代工廠大幅擴產，對於裝置的需求也水漲船高。據悉，ASML擴產的腳步早已邁開。
在今年Q1財報會議上，ASML表示，隨著第二季度晶片製造裝置的市場需求超過供應量，將上調長期營收預期，維持今年20%的營收增幅和55臺極紫外光科技的產能預期不變，並表示，2025年將能生產70多部極紫外光刻機。
3月下旬，ASML在其新加坡工廠的開幕式上宣佈，將繼續在該工廠興建第二座製造車間，預計將於2023年初投產。擴建後的工廠將讓該公司在新加坡的產能增加3倍，全球產能倍增。
5月下旬，據路透社報道，ASML正在著手研發價值4億美元（約合人民幣26。75億元）的新旗艦光刻機，有望2023年上半年完成原型機，最早2025年投入使用，2026年到2030年主力出貨。
電裝：將自產半導體銷售額增加兩成
據共同社訊息，豐田汽車集團旗下電裝公司公佈新的目標，稱到2025年把本公司生產的半導體銷售額從現在的4200億日元增加兩成至5000億日元（約合人民幣257億元）。公司生產將重視控制電力的“功率半導體”和用於監控電池等的“模擬半導體”領域，今後還將推進面向自動駕駛的感測器開發。
據報道，為實現半導體的穩定採購，電裝還將深化與專業廠家等的合作。據悉，今年2月，為穩定採購半導體，電裝宣佈將向臺積電（TSMC）為進駐熊本縣而設立的子公司出資。
此外，聯電還曾宣佈，公司日本子公司USJC將與電裝（DENSO）合作車用功率半導體制造，並將為DENSO建設一條IGBT產線。
其中，DENSO將提供其系統導向的IGBT元件與製程技術，而USJC則提供12英寸晶圓廠製造能力，預計在2023年上半年達成IGBT製程在12英寸晶圓的量產。這項合作已獲得日本經濟產業省的必要性半導體減碳及改造計劃的支援。
