根據之前訊息曝光，臺積電3nm製程工藝將於2022年底量產，不過良品率與成本的大幅上升讓臺積電的客戶選擇上相當謹慎。近日，臺積電公佈其2nm製程路線圖，最大亮點就是取代FinFET（鰭式場效應電晶體）後採用奈米片電晶體（Nanosheet），相較於N3，在相同功耗下，速度提升10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。

從臺積電這幾代工藝製程的效能、功耗對比來看，2nm工藝相對於3nm工藝保持著臺積電自己的節奏。而在微觀結構上，N2採用奈米片電晶體（Nanosheet），取代FinFET（鰭式場效應電晶體），外界普遍認為，奈米片電晶體就是臺積電版的GAAFET（環繞柵極電晶體）。臺積電還表示，N2不僅有面向移動處理器的標準工藝，還會有針對高效能運算和小晶片（Chiplet）的整合方案。

根據臺積電最新技術路線圖，N2將於2025年量產；同時而3nm也會比較長壽，除了2022年底的量產外，後續還有N3E、N3P和N3X。

對於生產更先進製程的2nm工藝，勢必要引進最新EUV光刻機。臺積電研發高階副總裁米玉傑在矽谷在近日舉行的臺積電技術研討會上表示：“臺積電將在2024年引入高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機，以開發相關的基礎設施和客戶所需的曝光解決方案，繼續推進創新。”

對於這款高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機，有關注近期科技圈動態的朋友們不陌生，不久前英特爾曾宣佈阿斯麥（ASML）的首臺高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機已被其收入囊中，準備在2025年生產更先進製程晶片。

隨著英特爾進入晶片代工市場，勢必要與臺積電爭奪客戶。業界正密切關注哪家公司會在開發下一代晶片技術上擁有更多優勢。畢竟除了在手機、膝上型電腦等高精尖的科技產品中需要使用更先進微型積體電路，諸如汽車和智慧音箱等裝置的計算晶片也有此類需求。