IT之家 6 月 30 日訊息，三星電子有限公司週四宣佈，該公司已經開始在其位於韓國的華城工廠大規模生產 3 奈米半導體晶片，是全球首家量產 3 奈米晶片的公司。與前幾代使用 FinFET 的晶片不同，三星使用的 GAA（Gate All Around）電晶體架構，該架構大大改善了功率效率。

三星公司在一份宣告中說，與傳統的 5 奈米晶片相比，新開發的第一代 3 奈米工藝可以降低 45% 的功耗，效能提高 23%，並減少 16% 的面積。

三星公司沒有透露 3 奈米公司的客戶身份，分析師表示，預計三星本身和中國虛擬貨幣挖礦機晶片設計公司上海磐矽半導體將成為最初的客戶之一。

作為對比，臺積電和英特爾分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規模生產 3 奈米晶片。

IT之家瞭解到，臺積電（TSMC）是世界上最先進的代工晶片製造商，控制著全球 54% 的晶片合同生產市場，蘋果和高通等沒有自己半導體設施的公司都是其客戶。

根據資料提供商 TrendForce 的資料，三星以 16。3% 的市場份額排名第二，去年該公司宣佈了一項 171 萬億韓元（約 8840。7 億元人民幣）的投資計劃，以在 2030 年之前超越臺積電成為全球頂級邏輯晶片製造商。

“我們將在有競爭力的技術開發方面繼續積極創新，”三星公司代工業務主管 Siyoung Choi 說。

三星聯合執行長 Kyung Kye-hyun 今年早些時候說，其代工業務將在中國尋找新的客戶，因為從汽車製造商到家電產品製造商的公司都急於確保產能，以解決全球晶片持續短缺的問題，它預計在中國將有高的市場增長。

雖然三星是第一個生產 3 奈米晶片的公司，但臺積電正計劃在 2025 年實現 2 奈米晶片的批次生產。

分析師說，三星是記憶體晶片的市場領導者，但其在更多樣化的代工業務方面已經被領先者臺積電超越，使其難以跟其競爭。在過去一年左右的時間裡，三星與行業領導者競爭的努力也因舊晶片的產量低於預期而受到阻礙。該公司在 3 月份表示，其經營情況已顯示出逐步改善。