摘要：被許多牛人視為神聖的臺積電的工藝領先優勢將很快結束。

去年，我一直在詳細介紹臺積電（紐約證券交易所程式碼：TSM）的絕唱（最初的跡象可以追溯到更遠），因為臺積電在遵循摩爾定律方面的進展似乎與英特爾（納斯達克股票程式碼：INTC ）類似） 回到 10nm。

在我看來，隨著最新資訊的披露，

臺積電在 10nm 工藝上將經歷與英特爾類似的五年“黑暗時代”，現在有很多危險訊號，臺積電的製程領導地位現在已經完全站不住腳。

這在不久前是完全不可想象的，證明臺積電的技術地位正在迅速惡化。投資者應該意識到，臺積電很快將不再是他們可能仍然認為自己正在投資的行業領導者。到那時，只有慣性——以及競爭對手快速建立新晶圓廠的能力——才能讓臺積電繼續前進。儘管如此，我預計客戶很快就會對臺積電缺乏進展感到不滿，這使英特爾成為無可爭議的受益者。

臺積電的低預期

摩爾定律指出，晶片上的電晶體數量應每兩年翻一番，半個多世紀以來，它一直是衡量半導體進步的金蠟燭。由於晶片尺寸大致保持不變，這實際上意味著電晶體密度（即針對相同面積歸一化的電晶體數量）應該每兩年翻一番。

在這方面已經普及的度量標準是 MTr/mm2（每平方毫米數百萬個電晶體），為方便起見，將進一步縮寫為簡單的 MT。比如Intel的10nm（改名為Intel 7）的密度是100MTr/mm2，或者乾脆是100MT。

1、N5差於預期

雖然 N5 作為臺積電在 2018 年從英特爾手中奪取製程領先地位的 N7 的繼任者，在 2020 年推出的蘋果（ AAPL ）A14中延續了臺積電的領導地位，但迄今為止，臺積電對實際工藝規格仍然非常模糊，此外說 N5 與 N7 相比縮小了 1。8 倍（略低於 2 倍基準，但符合臺積電每個節點的平均縮小）。這讓很多人得出結論，N5 的邏輯密度達到了 171MT 甚至更高，遠超 Intel 最先進的 10nm/7 工藝的 100MT。

然而，Angstronomics基於實際測量的新分析表明，情況並非如此。雖然在 2020 年蘋果公司報告 A14 的電晶體數量時，N5 沒有實現預期縮小的第一個暗示已經浮出水面，但實際的電晶體測量提供了確鑿的證據，即 N5 實際上只實現了 1。52 倍的縮小。

對於投資者來說，這應該是一個危險訊號。

2、N3也比預期差

正如投資者所知，積累財富的關鍵是複合回報。然而，反過來也是正確的：以較低的複合年增長率進行復利將顯著降低累積長期回報。

因此，鑑於 N5 帶來的收縮低於預期，這會流向 N3，因此也提供低於預期的密度。例如，幾年前曾預計 N3 將提供約 300 公噸的密度。然而，上述資訊得出的新（初步）密度估計僅為 215 公噸。

雖然較低的密度肯定會降低節點的絕對競爭力，但最終重要的是相對競爭力，例如英特爾此後也推遲了其 7nm 節點（更名為英特爾 4）。

在這方面，最近英特爾在一次會議上透露了相當多的資訊。最令人驚訝的是，英特爾 4 基本上已淪為一個權宜之計節點，只有一個高效能邏輯庫。作為比較，以前的節點具有三個庫以及更多功能，例如 I/O 和模擬。

因此，儘管 Intel 4 提供了 2 倍的擴充套件（因為 CPU 大量使用高效能庫），但節點的理論最大密度（本文的主題）僅為 123MT。因此，直到 2024 年初的 Intel 3，Intel 才會再次實現密度的重大飛躍。根據我的分析，2-1 庫（數字代表每個 PMOS 和 NMOS 電晶體的鰭片數量）應該提供大約 200MT 的密度，而 1-1 庫可以提供超過 230MT 的密度，超過 TSMC 的 N3。雖然 TMSC 正在開發更高密度的 N3S 節點，但它的精確時間尚不清楚。

為了完整起見，請注意，目前這只是猜測，因為英特爾甚至還沒有正式確認英特爾 3 將有一個高畫質庫，只是說它將有一個“更高密度的惠普庫”。儘管如此，英特爾的每個 FinFET 節點（從 22nm 開始）都有一個高畫質庫，如果英特爾 3 沒有一個高畫質庫，這將是令人驚訝的，特別是因為英特爾 3 也是針對英特爾代工服務客戶的。

另外，我對2-1或1-1 fin庫的猜測是在臺積電宣佈自己的N3 2-1庫之前做出的，而N3S很可能是1-1庫；這驗證了 2-1 庫是合理的。總之，2-1 庫將使英特爾在鰭片數量和整體電晶體密度方面基本上與臺積電相當（英特爾 3 大約為 200 噸，而 N3 大約為 215 噸）。儘管英特爾在上市時間方面會晚一年。

我在 2020 年的初步分析表明，英特爾 4（當時稱為 7nm）在電晶體密度方面將落在 N5 和 N3 之間。但是，根據目前的資訊，僅考慮 HP（高效能）庫時，Intel 4 實際上似乎比 N5 更接近 N3，而由於缺少 HD（高密度）庫，Intel 4 在最大密度方面明顯落後。因此，直到英特爾 3，即英特爾 4（和 N3）一年後，英特爾才會推出新的高畫質庫。不過，與 HP 庫的情況類似，Intel 3 HD 庫實際上應該與 N3 差不多。

3、N2 也比預期的差

英特爾 3 不僅比之前預期的更接近臺積電 N3，而且 N2 也一直在違背預期的下行空間。如前所述，N2 的時間安排使該節點比 N3 的節奏慢了 3 年，而 N3 本身已經處於相對緩慢的 2。5 年節奏，同時也帶來了約 1。55 倍的平庸收縮。

但血腥屠殺仍在繼續。臺積電最近在其技術研討會上提供了更多關於 N2 的資訊，而且非常糟糕。臺積電表示，預計 N2 將帶來“1。1 倍”的縮小。這個數字是基於 50% 邏輯、30% SRAM 和 20% 模擬的晶片組成。即使假設 SRAM 和模擬根本不縮小，那麼邏輯縮放比例應該在 20-30% 左右（除非 TSMC 出於某種原因顯著降低了 >1。1 倍的數字）。

最終，這意味著在 2026 年 N2 投放市場時，臺積電將提供人們直到最近才真正期待 2023 年 N3 的電晶體密度。

擴充套件趨勢與英特爾

如果以上聽起來臺積電不會有競爭力而失去領導地位，這似乎是正確的。雖然如上所述還沒有官方確認，但 Bob Swan 在 2019 年底曾表示 7nm（英特爾 4/3）和 5nm（20A/18A）都將實現 2 倍的縮小。

從那以後，英特爾進一步表示，它可以在超過 20A/18A 的節點上實現 40-100% 的密度進一步增加。從表面上看，這意味著到 2025 年初，英特爾可能會提供 400 噸的電晶體密度，到 2026 年將達到 800 噸。從上面的討論中，N2 幾乎完全沒有規模化意味著臺積電在 2026 年甚至可能很難達到 300 噸。

這意味著，在最壞的情況下，到 2026 年，英特爾的電晶體密度可能是臺積電的 3 倍。這將是一個令人震驚且非常迅速的消亡。

總體而言，從 N5 到 N3 再到 N2（時間是從 Q3‘20 到 Q2’26），臺積電將在 6 年內實現約 2 倍的擴充套件，複合年增長率為 13%。相比之下，從英特爾 4 到 3 到 20A 到 18A 到 14A（時間是從 23 年第二季度到 26 年第四季度），英特爾將在 3。5 年內實現約 6。5 倍的擴充套件。

需要明確的是，對於臺積電來說，直到 N3 的數字基本得到確認，而根據臺積電本身的說法，所討論的 N2 僅代表輕微的收縮（>1。1x”）。對於英特爾來說，直到英特爾 4 的數字得到確認，而英特爾 3 假定英特爾 7 縮小了 2 倍，英特爾 18A 假定英特爾 3 縮小了 2 倍。此資訊來自 Bob Swan 在 2019 年談到“7nm”和“5nm”時“縮小。顯然，其中一些目標可能在過去三年中發生了變化。

最後，2026 年的 14A 節點假設再縮小 2 倍。這個節點也有一些假設，儘管總體假設是英特爾將簡單地以繼續遵循摩爾定律為目標。例如，2021 年 10 月 Pat Gelsinger 表示，結合英特爾的 3D 封裝，他預計未來十年英特爾的發展速度將超過摩爾定律。特別是，假設該節點引入了英特爾在 2021 年 12 月披露的“CFET”電晶體架構，並評論說這可以實現 30-50% 的縮小。雖然此處假設的 50% 縮小（2 倍密度）處於該範圍的高階，但即使 14A 實現了 0% 的縮小，英特爾仍將保持其領先地位。

英特爾為自己設定的目標是繼續摩爾定律，每個節點（每兩年）將電晶體密度提高 2 倍。為了重新奪回製程領先地位，英特爾正在透過將節奏加速至 20A（這兩個節點之間僅相差 18 個月左右）來彌補英特爾 4 的延遲。

另一方面，臺積電在 N5（~1。5 倍）開始顯著減緩其密度擴充套件並在 N2（估計為~1。25 倍）接近停滯，同時在 N3 和 3 也顯著放緩至 2。5年才能達到 N2。

風險及注意事項

正如英特爾披露的英特爾 4 所表明的那樣，主要困難在於工藝技術和實際晶片通常由幾個不同的“單元庫”組成，每個單元庫在效能、功率和麵積 （PPA） 方面都有不同的權衡。

首先，這意味著本文的討論有點學術性。例如，英特爾（在大多數情況下）一開始甚至沒有為其 CPU 使用 100MT HD 庫，因為 CPU 旨在達到儘可能高的時鐘速度（效能）。儘管如此，正如上面引用的 Angstronomics 文章所示，理論和實際實現的電晶體密度之間仍然存在很強的相關性。舉個假設的例子，如果 Intel 3 和 TSMC N3 的密度都在 210MT 左右，那麼在這兩種工藝上製造的 Apple SoC 應該會產生大致相同的晶片尺寸。

其次，更重要的是，不同的庫可能會在節點之間實現不同的收縮。在這種情況下，雖然英特爾已經詳細說明了英特爾 4 HP 庫是如何實現 2 倍縮小的，但還不能肯定地說這將如何轉化為英特爾 3 的高畫質庫。事實上，英特爾 4 節點並沒有甚至一開始就有一個高畫質庫。這種實踐上的變化也為 20A 和 18A 引入了一些問號。雖然，由於 18A 的引入，與英特爾 3 的一整年相比，該節點將比 20A 落後大約半年（與英特爾 4 相比）。

因此，英特爾在 2024 年和 2026 年可能達到 400MT 和 800MT 的密度的推斷並不確定，因此可能需要修改（如果當年沒有高畫質庫可用）。儘管如此，由於臺積電提供的資訊暗示它將在 2023 年達到 215 噸，在 2026 年達到 270 噸左右，因此英特爾重新獲得電晶體密度領先地位的安全邊際似乎非常大，即使英特爾的密度低於目前的預期。

最後一個風險是更多的心理風險。回到 14nm 左右，英特爾不斷對其電晶體密度的領先地位大肆宣傳。相比之下，目前英特爾管理層仍然對重新獲得電晶體密度領先地位一無所獲。英特爾唯一聲稱的是，到 2025 年它將重新獲得每瓦工藝效能的領先地位。人們會假設英特爾管理層會在屋頂上尖叫（就像它最初在 14/10nm 所做的那樣），如果它真的能獲得材料優勢超過臺積電（如本文所述）。如前所述，英特爾根本沒有談論電晶體密度這一事實可能會導致一些謹慎。

如上所述，假設英特爾即將推出的所有產品都縮水 2 倍的驗證來自前執行長 Bob Swan 在 2019 年的評論，以及 Pat Gelsinger 的宣告，即未來十年它將遵循摩爾定律。如前所述，臺積電落後的一個原因可能是在開發環柵電晶體方面遇到了麻煩。

投資者建議

我目前認為臺積電的製程領導地位正在崩潰，比任何人（包括我自己）之前預期的都要嚴重。

首先，實際測量證實 N5 的密度至少比之前在技術出版物中報道的密度低 20%（~1。25 倍）。其次，由於複合定律，這意味著 N3 的密度也低於之前的預期。這反過來意味著英特爾 3 可能幾乎與 N3 相匹敵。第三，雖然英特爾將在 6 個月和 12 個月內分別以 20A 和 18A 跟進英特爾 3，但臺積電已將 N2 置於 36 個月的長週期中。此外，臺積電的最新披露表明，邏輯電晶體密度將增加不到 30%。

從這個意義上說，英特爾的追趕將類似於臺積電最初是如何獲得其工藝領導地位的：只需（幾乎）遵循摩爾定律，而其他公司則面臨著大大減緩它們的問題。

這最終意味著臺積電將以難以置信的速度和驚人的數量失去其密度領導地位。英特爾將在 2024 年初憑藉英特爾 3 幾乎趕上 N3，在明年以 20A/18A 實現近 2 倍的領先地位，然後到 2026 年底將其領先地位進一步提升至 3 倍。