3月15日訊息，在最近的IEEE ISSCC國際固態電路大會上，三星首次展示了採用3nm工藝製造的256Mb（32MB）容量SRAM儲存晶片。該晶片應用了MBCFET技術，寫入電壓僅需0。23V，是三星實現新工藝量產的一次重大進步。

據悉，

三星的3nm工藝採用了GAAFET(環繞柵極場效應電晶體)技術，與上一代7LPP FinFET工藝相比，電晶體密度可以提高80%，效能最高可提升30%，或者降低50%的功耗。

三星與臺積電並列為全球兩大晶片代工廠，但是卻總是稍遜臺積電一籌。2015年蘋果iPhone 6S系列大賣，為了提高新品產能，同時使用了三星14nm和臺積電16nm工藝代工，然而臺積電出產的晶片效能穩定，三星的晶片卻兩極分化嚴重，部分晶片效能、發熱均表現出色，另一些晶片則出現了發熱翻車的現象。

後來蘋果晶片的代工訂單基本都交給了臺積電，三星則與高通簽訂了多年合作協議。3nm是晶片工藝的全新節點，比5nm、4nm更為重要，三星早前已經開始佈局，搶在臺積電之前，展出了成品。

根據產業鏈曝光的訊息，

臺積電也在研發3nm工藝，遺憾的是新工藝仍將採用FinFET立體電晶體技術，號稱與5nm工藝相比，電晶體密度將提高70%，效能可提升11%，或者功耗降低27%。

從紙面引數來看，三星這一次似乎有望實現全面反超。不過三星還沒有公佈3nm工藝的訂單情況，臺積電則基本確認，客戶會包括蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等，貌似Intel也有意尋求臺積電的先進工藝代工。臺積電預計將在2nm晶片上應用GAAFET技術，要等待三年左右才能面世。

這兩家廠商的3nm工藝都將在今年年底試產，明年正式量產。三星能否彎道超車，只有等待產品量產之後，經過消費者檢驗，我們才能知道。