中國晶片製造業要想實現突圍，攻克“卡脖子”技術勢在必行。

近兩年我們其實已經取得了很大的進展，從晶片製造的環節來說，實現了“三箭齊發”。

首先是離子注入機， 3月22日，中國電子科技集團有限公司官發方訊息，中國電科旗下裝備子集團日前已成功實現離子注入機全譜系產品國產化，可為全球晶片製造企業提供離子注入機一站式解決方案。

其次是光刻機，3月17日，中心擴建finfet該技術已經成功量產，第二代技術也正在風險是量產之中。所謂的fin fet機其實就是14奈米工藝改變的12奈米工藝，finfet第二代技術都是指n+1以及n+2製成工藝對標的是臺積電的7奈米技術。行業人士猜測，如今正在進行風險試產的應該就是七奈米。七奈米是可以脫離EUV光刻機的。

最後是EUV光源，2月25日，清華大學工程物理系教授唐傳祥研究組聯合國外科研人員釋出了一項重大科研成果。該成果基於SSMB（Steady-state microbunching，一種新型粒子加速器光源“穩態微聚束”）原理，能獲得高功率、高重頻、窄頻寬的相干輻射，波長可覆蓋從太赫茲到極紫外（EUV）波段，有望為光子科學研究提供廣闊的新機遇。 綜上所述，大家不要擔心，#手機行業全面缺芯# 的時代可能真的就要結束了。