世界上最早的全電子化儲存器是1947年誕生的，其原理是用陰極射線管在螢幕表面上留下記錄資料的“點”。從那時起，計算機記憶體開始使用磁儲存技術並經歷了數代演變，相關係統包括磁鼓儲存器、磁芯儲存器、磁帶驅動器和磁泡儲存器。從1970年代開始，主流的整合半導體儲存器則主要分為三類：動態隨機存取儲存器 （DRAM）、靜態隨機存取儲存器 （SRAM） 和快閃記憶體。

計算機記憶體主要是DRAM和SRAM。SRAM則具有最快的片上快取。已經歷了數十年的發展。SRAM不需要週期性重新整理就能鎖存“0”和“1”訊號，影響其發展的主要因素則是單元面積和讀取速度。

MCU通常是基於SRAM和快閃記憶體的混合使用，MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash儲存器和256KB SRAM，在某些應用設計中會出現內建RAM不足的情況，需要對STM32微控制器進行外擴RAM的處理，可以選擇更換更高RAM容量的微控制器，除了價格貴還需要涉及其他被動器件的更改，STM32系列可以透過FMSC介面外擴並口SRAM，比如採用國產SRAM晶片EMI7064。

介紹以下SRAM晶片作為外擴的考慮

1。串列埠SRAM晶片：這種封裝是SOP-8的串列埠SRAM晶片，一般推薦用EMI7064這一款，容量可以達到64Mbit，佔用佔用微控制器的I/O腳位比較少，較多的應用在各類產品中，價效比比較高的一款SRAM晶片產品。

2。並口SRAM晶片：一般並口SRAM晶片佔用微控制器的I/O腳位比較多，可能在應用設計中需要讀取速度較快的可以考慮用這種，資料讀取速度可以達到8NS，因為是屬於六個電晶體的設計，在價格上比較貴，適合用於以下大型工控類產品，伺服器，金融醫療等產品。

3。 偽靜態SRAM晶片（也稱PSRAM）：這款封裝一般是BGA的，容量同樣可以達到64Mbit，速度一般在70ns左右，價格相對比並口SRAM晶片要便宜。

總體來看，一般看應用設計對外擴SRAM晶片的資料讀取速度要求多少，容量以及價效比來選擇SRAM晶片。