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BGA封裝工藝流程
1.PBGA基板的製備
在BT樹脂/玻璃芯板的兩面壓極薄（12-18um厚）的銅箔，然後進行鑽孔和通孔金屬化，通孔一般位於基板的四周；再用常規的PWB工藝（壓膜、曝光、顯影、蝕刻等）在基板的兩面製作圖形（導帶、電極以及安裝焊球的焊區陣列）；最後形成介質阻焊膜並製作圖形，露出電極及焊區。
線路形成：
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2.封裝工藝流程
圓片減薄→圓片切削→晶片粘結→清洗→引線鍵合→清洗→模塑封裝→裝配焊料球→迴流焊→打標→分離→檢查及測試→包裝
晶片粘結：採用充銀環氧樹脂粘結劑（導電膠）將IC晶片粘結在鍍有Ni-Au薄層的基板上
引線鍵合：粘結固化後用金絲球焊機將IC晶片上的焊區與基板上的鍍Ni-Au的焊區以金線相連
模塑封裝：用石英粉的環氧樹脂模塑進行模塑包封，以保護晶片、焊接線及焊盤。
迴流焊：固化之後，使用特設設計的吸拾工具（焊球自動拾放機）將浸有焊劑熔點為183℃、直徑為30mil（0。75mm）的焊料球Sn62Pb36Ag2，或者Sn63Pb37放置在焊盤上，在傳統的迴流焊爐內在N2氣氛下進行迴流焊接（最高加工溫度不超過230℃），焊球與鍍Ni-Au的基板焊區焊接。
裝配焊球有兩種方法：“球在上”和“球在下”
球在上：
在基板上絲網印製焊膏，將印有焊膏的基板裝在一個夾具上，用定位銷將一個帶篩孔的頂板與基板對準，把球放在頂板上，篩孔的中心距與陣列焊點的中心距相同，焊球透過孔對應落到基板焊區的焊膏上，多餘的球則落入一個容器中。取下頂板後將部件送去再流，再流後進行清洗。
“球在下”：
過程與“球在上”相反，先將一個帶有以所需中心距排列的孔（直徑小於焊球）的特殊夾具放在一個振動/搖動裝置上，放入焊球，透過振動使球定位於各個孔，在焊球位置上印焊膏，再將基板對準放在印好的焊膏上，送去再流，之後進行清洗。
焊球的直徑是0。76mm（30mil）或0。89mm（35mil），PBGA焊球的成分為低熔點的63Sn37Pb（62Sn36Pb2Ag）。
TBGA封裝工藝流程
1.TBGA載帶製作
TBGA載帶是由聚醯亞胺PI材料製成的，在製作時，先在載帶的兩面覆銅，接著衝通孔和通孔金屬化及製作出圖形；然後鍍鎳、金，將帶有金屬化通孔和再分佈圖形的載帶分割成單體。
封裝熱沉又是封裝的加固體，也是管殼的芯腔基底，因此在封裝前先要使用壓敏粘結劑將載帶粘結在熱沉上。
TBGA適合於高I/O數應用的一種封裝形式，I/O數可為200-1000，晶片的連線可以用倒裝晶片再流，也可以用熱壓鍵合。
2.封裝工藝流程
圓片減薄→圓片切割→晶片粘結→清洗→引線鍵合→等離子清洗→液態密封劑灌封→裝配焊料球→迴流焊→打標→最終檢查→測試→包裝
晶片粘結：全陣列型晶片，用C4工藝；周邊型金凸點晶片，熱壓鍵合。
裝配焊料球：用微焊技術把焊球（10Sn90Pb）焊接到載帶上，焊球的頂部熔進電鍍通孔內，焊接後用環氧樹脂將晶片包封。
FCBGA封裝工藝流程
1.FCGBA基板製作
FCGBA基板製作是將多層陶瓷片高溫共燒成多層陶瓷金屬化基片，再在基片上製作多層金屬佈線，然後進行電鍍等。
2.封裝工藝流程
圓片凸點的製備→圓片切割→晶片倒裝及迴流焊→底部填充→導熱脂、密封焊料的分配→封蓋→裝配焊料球→迴流焊→打標→分離最終檢查→測試→包封
倒裝焊接：
特點：
倒裝焊技術克服了引線鍵合焊盤中心距極限的問題；
在晶片的電源／地線分佈設計上提供了更多的便利；
為高頻率、大功率器件提供更完善的訊號。
優點：
焊點牢固、訊號傳輸路徑短、電源／地分佈、I／O；密度高、封裝體尺寸小、可靠性高等。
缺點：
由於凸點的製備是在前工序完成的，因而成本較高。
倒裝焊的凸點是在圓片上形成的。在整個加工過程中，工藝處理的是以圓片、晶片和基片方式進行的，它不是單點操作，因而處理效率較高。
基板選擇：
基板選擇的關鍵因素在於材料的熱膨脹係數（CTE）、介電常數、介質損耗、電阻率和導熱率等。
基板與晶片（一級互連）之間或基板與PCB板（二級互連）之間的CTE失配是造成產品失效的主要原因。CTE失配產生的剪下應力將引起焊接點失效。
封裝體的訊號的完整性與基片的絕緣電阻、介電常數、介質損耗有直接的關係。介電常數、介質損耗與工作頻率關係極大，特別是在頻率>1GHz時。
有機物基板是以高密度多層佈線和微通孔基板技術為基礎製造的。
特點：
低的互連電阻和低的介電常數。
侷限性：
①在晶片與基板之間高的CTE差會產生大的熱失配；
②可靠性較差，其主要原因是水汽的吸附。
現有的CBGA、CCGA封裝採用的基板為氧化鋁陶瓷基板。
侷限性：
①熱膨脹係數與PCB板的熱膨脹係數相差較大，而熱失配容易引起焊點疲勞。
②它的高介電常數、電阻率也不適用於高速、高頻器件。
HITCE陶瓷基板
特點：
CTE是12。2ppm／℃；
低的介電常數5。4；
低阻的銅互連繫統。
綜合了氧化鋁陶瓷基板和有機物基板的最佳特性，其封裝產品的可靠性和電效能得以提高。
凸點技術：
常用的凸點材料為金凸點，95Pb5Sn、90Pb10Sn焊料球（迴流焊溫度約為350℃）。技術的關鍵在於當節距縮小時，必須保持凸點尺寸的穩定性。焊料凸點尺寸的一致性及其共面性對倒裝焊的合格率有極大的影響。
CBGA封裝工藝流程
相比於PBGA和TBGA，CBGA有些許不同，主要表現在以下幾個方面：
1。CBGA的基板是多層陶瓷佈線基板，PBGA的基板是BT多層佈線基板，TBGA基板是加強環的聚醯亞胺（PI）多層Cu佈線基板。
2。CBGA基板下面的焊球為90%Pb-10Sn%或95%Pb-5Sn%的高溫焊球，而與基板和PWB焊接的焊料則為37%Pb-63Sn%的共晶低溫焊球。
3。CBGA的封蓋為陶瓷，使之成為氣密性封裝；而PBGA和TBGA則為塑膠封裝，非氣密性封裝。
BGA 封裝中IC 晶片與基片連線方式的比較
BGA 封裝結構中晶片與基板的互連方式主要有兩種：引線鍵合、倒裝焊。
目前BGA的I／O數主要集中在100~1000：
採用引線鍵合的BGA的I／O數常為50~540；
採用倒裝焊方式的I／O 數常>540。
目前PBGA的互連常用引線鍵合方式：
CBGA 常用倒裝焊方式；
TBGA 兩種互連方式都有使用。
當I／O數
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