眾所周知，由於我國在晶片領域的起步較晚，所以一直以來晶片技術就成為了我國最大的短板。因此在意識到晶片技術受限於人的弊端後，我國在晶片領域投入了大量的人力和物力，並且在晶片設計範疇取得了較為理想的成績，但是在製造環節卻依舊是我國最大的短板。

既然深知晶片技術的重要性，那麼用於製造晶片的光刻機的重要性同樣也不言而喻，倘若在離開了光刻機，那麼晶片技術也只依存在圖紙上，無法成為現實。而目掌握著全球最頂尖7nm晶片製程光刻機技術的也只有荷蘭ASML一家，至於美日兩國，目前的水平也只能達到14nm。

雖然荷蘭ASML公司所研發的光刻機處於世界一流級別，但需要知道的是，荷蘭ASML公司研發的光刻機95%以上的零部件來自於多個國家。有礙於光刻機制造難度極大，所以荷蘭ASML公司在出售光刻機之際，也要優先給予包括美國、韓國在內的科技公司，至於身為中國晶片巨頭的中芯國際，也因為中美不確定關係的存在，被荷蘭禁止出售光刻機。

值得注意的是，在我國龐大的電子產品結構群下，晶片製造受限於人的弊端顯而易見，倘若在一旦礙於美國壓力，包括臺積電在內的晶片代工廠商與國內科技企業斷絕聯絡，那麼必然會使得我國電子產業結構發展滯後，所帶來的消極影響不可謂不大。那麼既然中國晶片巨頭進口7nm光刻機受阻，那麼國產光刻機現狀如何？

據瞭解，目前國產光刻機水平僅限於第三級別，也就是低端領域，且僅有上海微電子能夠生產低端光刻機，至於製作工藝基本也僅限於90nm，與目前最新的7nm相比還有著很大的差距。但在後續準備中，國產光刻機工藝範疇已經突破了28nm，但依舊無法與荷蘭ASML公司相抗衡。

不過在近期，有媒體報道，由武漢光電國家研究中心的甘棕松團隊，目前已經成功研發出9nm工藝的光刻機，據瞭解此次國產光刻機利用二束鐳射在自研的光刻機上突破了光束衍射極限的限制，刻出了最小9nm線寬的線段，由於是我國獨有的技術，所以我們在不受他國限制的情況下，也擁有著絕對的智慧財產權。

雖然9nm的光刻機技術與7nm相比還有著弱微的差距，但不可否認的是，這也是我國晶片發展史上的一個重要里程碑，即便目前無法超越荷蘭ASML，但最起碼也超過了日本美國的水平。所以在效率極高的情況下，不排除國產光刻機在7nm領域取得突破的可能，對此大家怎麼看？