快閃記憶體是一種非易失性儲存器（nonvolatile memory），以塊為單位擦除資料並以位元組級別重寫資料。

快閃記憶體廣泛用於消費類裝置，企業系統和工業應用中的儲存和資料傳輸

。不管配備快閃記憶體的裝置是開啟還是關閉電源，快閃記憶體都會將資料保留很長一段時間。

快閃記憶體用於企業資料中心伺服器，儲存和網路技術以及廣泛的消費類裝置，包括USB快閃記憶體驅動器（也稱為記憶棒），SD卡，行動電話，數碼相機，平板電腦，筆記本計算機和嵌入式控制器中的PC卡。例如，基於NAND快閃記憶體的固態驅動器通常用於加速I/O密集型應用的效能。NOR快閃記憶體通過於在PC中儲存控制程式碼，例如基本輸入/輸出系統（BIOS）

非易失性儲存器（nonvolatile memory）：在掉電後資訊還能保持，分為二大類武器，即只讀儲存器ROM和快閃記憶體Flash。

易失性儲存器（volatile memory）：在掉電後資訊或資料就會消失，分為三大類產品：即RAM（Random Access Memory，隨機存取記憶體）DRAM（Dynamic Random Access Memory，靜態隨機存取記憶體）

型別

快閃記憶體從可擦可程式設計只讀儲存器（EPROM）和電可擦可程式設計只讀儲存器（EEPROM）演變而來

。從技術上講，快閃記憶體是EEPROM的一種變體，但業界保留術語EEPROM表示位元組級可擦除儲存器，並將術語快閃記憶體用於較大的塊級可擦除儲存器

PROM

：Programmable Read Only Memory 可程式設計只讀儲存器

EPROM

：Erasable Programmable Read Only Memory可擦可程式設計只讀儲存器

EEPROM

：Electrically Erasable Programmable Read Only Memory 電可擦可程式設計只讀儲存器

原理

快閃記憶體體系結構包括堆疊有大量快閃記憶體單元的儲存陣列。

基本的快閃記憶體單元由具有控制柵極和浮置柵極（Floating Gate）的儲存器電晶體組成，該浮柵透過薄介電材料或氧化層與電晶體的其餘部分絕緣，浮柵儲存電荷並控制電流的流動。

電子被新增到浮柵或從浮柵處移除，以改變儲存電晶體的閾值電壓。而改變電壓會影響將單元編譯為0還是1。

一種稱為Fowler-Nordheim隧穿的過程將電子從浮柵中去除。Flower-Nordheim隧穿和稱為溝道電子注入的現象都會將電子捕獲在浮柵中。

使用Fowler-Nordheim隧道技術，資料會透過控制門上的強負電荷擦除。這迫使電子進入存在強正電荷的通道

在使用Fowler-Nordheim隧道將電子捕獲在浮柵中時，情況會相反。電子在高電場的情況下設法透過薄氧化層遷移到浮柵，在單元的源極和漏極上帶有強負電荷，而在控制柵上帶有強正電荷。

優點

快閃記憶體是半導體儲存器中最便宜的一種。

與動態隨機存取儲存器（DRAM）和靜態RAM（SRAM）不同，快閃記憶體是非易失性的，功耗較低，並且可以大塊擦除。

NOR快閃記憶體可提高隨機讀取速度，而NAND快閃記憶體可透過序列讀寫實現快速傳輸。

帶有NAND快閃記憶體晶片的固態儲存裝置（Solid State Devices,SSD）提供的效能大大高於傳統的磁儲存介質（如HDD和磁帶）。

快閃記憶體驅動器相比HDD消耗的功率更少，產生的熱量也更少。

配備快閃記憶體驅動器的企業儲存系統具有低延遲特點，以毫秒或微秒為單位