外媒《eeNews》報道，比利時微電子研究中心（imec）執行長Luc van den Hove日前在Futures conference大會表示，相信摩爾定律（Moore′s law） 不會終結，但要很多方面共同貢獻。imec就提出1奈米以下至2埃米（A2）半導體制程技術和晶片設計路徑，延續摩爾定律。

Luc van den Hove提到幾代器件架構，從FinFET器件到插板和原子通道器件，以及新材料和ASML的High-NA曝光機匯入都要很多年，正在安裝High-NA曝光機原型裝置，2024年投入商用。相信曝光工具將把摩爾定律擴充套件到1奈米節點以下。

Luc van den Hove強調，為了邁向更先進製程，需開發新器件架構及推動標準單元微縮。FinFET成為從10奈米到3奈米主流技術基礎，從2奈米開始，奈米片堆疊而成的GAA架構是最有可能的概念。imec開發的Forksheet架構，可用屏障材料將N和P通道更緊密連線，是種將柵極擴充套件到超過1納米制程的選擇。接下來可把N和P通道放在一起擴大規模，已開發了第一版。

使用鎢或鉬新材料，為2028年1奈米（A10）製程和2034年4埃米（A4）製程、2036年2埃米（A2）製程結構製造相當於幾個原子長度的柵極。同時互聯效能也需改善，有趣選擇是將電力輸送到晶片背面，為前端互聯留下更多設計靈活性。所有新材料與技術預計導致15~20年內規模晶片製造擴大。

Luc van den Hove指出，未來系統晶片裝置將使用TSV和微凸點技術3D堆疊晶片，並使用不同製程完成不同任務，使多3D晶片需連線一個矽中介層。imec一直在開發技術，且技術逐漸被業界採用。

（首圖來源：臺積電）