近半個世紀以來，矽一直是世界科技繁榮的核心，晶片製造商幾乎都在壓榨它的生命。傳統上用於製造晶片的技術在2005年左右達到了極限。那時，晶片製造商將不得不尋求其他技術，將更多的電晶體塞到矽上，從而製造出更強大的晶片。

將電晶體封裝到晶片上的傳統工藝被稱為

“深紫外光刻”(DUV)

，這是一種類似攝影技術的技術，透過透鏡聚焦光線，在矽晶片上刻出電路圖案。由於受到物理定律的影響，這種技術可能很快就會出現問題。利用

極紫外線(EUV)

光在矽晶片上雕刻，將使晶片的速度比快100倍，並使儲存器晶片具有類似的儲存容量增長。

晶片製造

光刻與攝影相似，它利用光將影象轉移到基板上。就照相機而言，它的基板是膠捲，而矽是用於晶片製造的傳統基板。掩模就像電路圖案的模板，為了在晶片上建立積體電路設計，光被定向到一個掩模上。光線穿過掩模，然後透過一系列光學透鏡將影象縮小，這個小影象被投射到矽或半導體晶片上。

晶圓上覆蓋著一種叫做光刻膠的感光液體塑膠。掩模被放置在晶圓上，當光線穿過掩模照射到矽片上時，它會使沒有被掩模覆蓋的光刻膠變硬。不暴露在光下的光刻膠仍然有點粘糊糊，並且會被化學清洗掉，只剩下硬化的光刻膠和暴露在外的矽片。

製造更強大的晶片的關鍵是光的波長大小。波長越短，可以蝕刻到矽片上的電晶體就越多。更多的電晶體等於一個更強大、更快的微處理器。在2001年，深紫外光刻使用的波長為240奈米。隨著晶片製造商將波長減少到100奈米，他們將需要一種新的晶片製造技術。使用深紫外光蝕刻技術的問題是，當光的波長變小時，光會被用於聚焦的玻璃透鏡吸收。結果是光線無法到達矽片上，因此晶圓上沒有產生電路圖案。這個時候，極紫外光刻技術就登場了。

極紫外光刻原理

從2001年起，用深紫外光刻技術製造的晶片使用的是248奈米的光，也有一些製造商使用193奈米光。有了極紫外光刻技術，晶片將用13奈米的光製造。基於波長越小成像效果越好的定律，13奈米光將提高投射到矽片上的圖案質量，從而提高晶片的速度。

但整個過程必須在真空中進行，因為這些光的波長很短，連空氣都會吸收它們。此外，EUVL使用了塗有多層鉬和矽的凹面和凸面鏡，這種塗層可以在13。4奈米的波長下反射近70%的EUV光。如果沒有塗層，光線在到達晶圓片之前就會被完全吸收。鏡子的表面必須近乎完美，即使是塗層上的微小缺陷也會破壞光學器件的形狀，扭曲印刷電路的圖形，從而導致晶片功能上的問題。

目前，最先進的光刻機是極紫外光刻機，它已經制造了數十億顆7nm晶片了。甚至有晶片製造商聲稱，用極紫外光刻技術生產的5nm晶片的不良率比7nm晶片更低。