“我們的職責是與全球圖案化生態系統緊密合作，確保及時提供先進的抗蝕劑材料、光掩模、計量技術、變形成像策略和圖案化技術，充分受益於 High-NA EUV 提供的解析度增益光刻掃描器，”imec 執行長 Luc Van den hove ...

時間：2022-05-22標籤：電晶體 EUV 掩模 奈米 High 

將電晶體封裝到晶片上的傳統工藝被稱為“深紫外光刻”(DUV)，這是一種類似攝影技術的技術，透過透鏡聚焦光線，在矽晶片上刻出電路圖案...

時間：2020-08-31標籤：晶片 紫外光 掩模 奈米 波長 

（a）最佳化演算法流程 （b）自適應分段策略樣例 （c） 自適應分段的合併與分裂source： 光學快報（a）對不同大小的基板缺陷的補償模擬結果 （b） 對不同位置的基板缺陷的補償模擬結果 （c） 對複雜圖形的基板缺陷的補償模擬結果 （d）...

時間：2021-11-11標籤：掩模 基板 光刻 缺陷 微電子 

光掩模結構（圖片來源：三星電子部落格）隨著光掩模供應狀況的惡化，大量訂單湧向了DNP、TMC等主要企業，價格也在上漲...

時間：2021-11-06標籤：掩模 半導體 供需 電路 交貨 

一位8英寸代工企業負責人25日表示，“對漲價很擔心，但更擔心光掩模的延遲交貨...

時間：2021-10-27標籤：掩模 半導體 短缺 交貨 電路 

光束線設計用於在幾秒鐘內在high NA 條件下篩選各種光刻膠材料，並支援開發適用於高 NA EUV 光刻的最佳化圖案、蝕刻和計量技術...

時間：2021-10-12標籤：EUV 掩模 光刻 光刻膠 Na 

現在，臺積電（TSMC）和三星（Samsung Foundry）發明了使用EUV光刻工具生產較小晶片的多die掩模，而不需要防護膜的方法，但是這種方法存在風險，因為任何顆粒新增劑都可能成為導致產量下降的缺陷...

時間：2021-04-01標籤：EUV 防護 掩模 ASML 透射率