書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：溼法清洗中的金屬雜質分離

編號：JFKJ-21-623

作者：炬豐科技

刻或離子注入，會導致高達10i2-1013 atom/em2的金屬汙染。溼法工藝對於去除幹法加工過程中引入的這些： 金屬雜質變得越來越重要。

矽片清洗的一般方法和金屬雜質

—般目前的矽片清洗有五個目的：去除有機物質中的氫、硫，，去除顆粒和金屬雜質，去除HCI-H2O2-H2O清洗中的金屬雜質，去除天然氧化物，去除超純水漂洗中的在超大規模整合生產中，要實現低溫加工和高選擇性，使矽片表面超潔淨至關重要。超淨晶圓表面必須完全 沒有顆粒、有機材料、金屬雜質、天然氧化物和表面微粗糙度，和吸附的分子雜質。目前的幹法工藝，如反應離子蝕清洗液。表一顯示了我們採用的矽晶片溼法清洗工藝。圖2顯示了在每個溼法清洗工藝步驟中測量的矽晶片上的金屬濃度。很明顯，在每個工藝步。驟中都不會產生金屬汙染。

液體中的金屬離子在矽晶片上的沉澱被認為是基於以下兩種機制。第一種機制是由於金屬離子與矽原子或矽表面的氫原子之間的離子交換而產生的沉澱。另一種沉澱機制是，隨著天然氧化物在矽表面上生長，金屬離子被氧化，並作為氧化物包含在氧化物膜中。具體解釋 略

用稀釋的氟化氫溶液去除金屬雜質  略

結論  略