數碼IBM和三星推出疊加晶片技術:可將手機電池續航時間延長到一週新的垂直輸運場效應電晶體(VTFET)設計意在繼承目前一些最高階晶片使用的FinFET技術,使晶片的電晶體密度比現在更高...時間:2021-12-16標籤:晶片 電晶體 VTFET FinFET 設計
數碼讓手機待機一週、效能兩倍提升,IBM聯合三星提出革命性新晶片架構如下為 VTFET 晶圓示意圖:在新的維度:重新定義摩爾定律的邊界當今,主流的晶片架構採用橫向傳輸場效應電晶體(FET),例如鰭式場效應電晶體(FinFET),因矽體類似魚背鰭而得名...時間:2021-12-15標籤:電晶體 VTFET 晶片 柵極 IBM