三星將量產GAA技術3納米制程，客戶名單曝光
有訊息人士透露，三星稱有客戶訂購3奈米產能，名稱也曝光，除了中國虛擬貨幣挖礦機晶片設計公司上海磐矽半導體 （PanSemi），移動處理器大廠高通 （Qualcomm） 也下訂3奈米產能...
時間：2022-06-29
標簽：柵極
積電3nm工藝竟有5種之多！其中3種都看不懂
比如2個柵極1個鰭片，可以效能提升11％、功耗降低30％、面積縮小36％...
時間：2022-06-17
直流電機驅動電路怎麼設計？這幾個方面需重點考慮！（文末有福利）
時間：2021-04-13
碳基晶片賽道上，僅中美兩個選手，我們可以直道超車嗎？
時間：2020-08-21
被曝4nm良率僅35％後，三星3nm工廠即將動工：全球首發GAA工藝
時間：2022-03-11
IGBT場效電晶體的工作原理以及極性判斷壞判斷方法
由圖2可知，若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP電晶體的集電極與基極之間成低阻狀態而使得電晶體導通...
時間：2022-03-08
電晶體的輝煌五十年
為了減少亞閾值洩漏，需要一種器件拓撲結構，其中柵極輸入對通道提供更大的靜電控制...
時間：2022-03-04
IGBT模組常規測量以及故障維修方法
多數情況下，該du/dt值要比IGBT正常關斷時的集電極發射極電壓上升率高，由於米勒電容（ Cres）的存在，該du/dt值將 在集電極和柵極之間產生一個 瞬間電流，流向柵極驅動電路...
時間：2020-07-24
乾貨｜IGBT和SiC 柵極驅動器基礎知識
不過，由於系統的非理想性（例如功率器件的非理 想開關，其中完成電壓和電流轉換可能需要數百納秒 的時間），立即進行 DESAT 檢測可能會導致不精確的 故障觸發...
時間：2022-02-17
IGBT自舉的驅動方式
一、電平箝位自舉驅動電路不能產生負偏壓，如果用於驅動橋式電路，在半橋電感負載電路下執行，處於關斷狀態下的IGBT由於其反並聯二極體的恢復過程，將承受集電極-發射極間電壓的急劇上升...
時間：2021-12-28
電子小百科｜電晶體篇之導通電阻和總柵極電荷
計算功率損耗時，需要考慮柵極源極間電壓和漏極電流，選擇適合的導通電阻...
時間：2021-05-03
摩爾定律會如何發展？奈米片器件發話了……
金氧半導體場效應電晶體（MOSFET，即微處理器中使用的電晶體）自1959年誕生以來，其形狀和材料都發生了變化，但基本結構（柵極疊層、溝道區域、源極和漏極）一直保持不變...
時間：2021-08-08
揭秘：緊湊電機控制系統中，柵極驅動器怎麼設計呢？
時間：2019-11-07
MOSFE引數定義
I DSS ：飽和漏源電流，柵極電壓 V GS =0 、 V DS 為一定值時的漏源電流...
時間：2020-11-10
詳解MOS管原理及幾種常見失效分析
排水管之間的過電壓保護：如果電路中存在電感負載，當裝置關閉時，漏極電流（di/dt）的突然變化將導致漏極電壓超調，這遠遠高於電源電壓，從而導致裝置損壞...
時間：2020-07-20
無電容的3D DRAM，潛力無限
時間：2021-12-20
讓手機待機一週、效能兩倍提升，IBM聯合三星提出革命性新晶片架構
如下為 VTFET 晶圓示意圖：在新的維度：重新定義摩爾定律的邊界當今，主流的晶片架構採用橫向傳輸場效應電晶體（FET），例如鰭式場效應電晶體（FinFET），因矽體類似魚背鰭而得名...
時間：2021-12-15
摩爾定律失效了？三星、臺積電會說，它還好得很，1nm已經看見希望
在上個世紀，人類製造的所有晶片的電晶體都採用了這種結構，柵極的厚度也就是晶片的製程工藝...
時間：2021-12-15
晶片七納米制程，是指電晶體之間的間距是七奈米，還是電晶體的尺寸
不過當到達14奈米的時候，隔離層材料二氧化矽厚度不夠，控制能力就會變差，電流流過會產生流失，導致晶片的功耗過高，增加熱量，訊號失真的問題...
時間：2019-11-09
晶片製造技術再突破 中芯國際創新半導體器件形成方案
時間：2021-11-16