3nm達到臨界點,奈米片FET或將取代finFET
選擇性鎢自下而上填充提供了消除阻擋層和襯墊層、改善接觸和電阻的途徑鈷和鎢在 14nm 或 10nm 技術節點之前,鎢一直是與金屬/多晶矽柵極以及電晶體上的源極和漏極矽化物區域進行電接觸的主要材料...
時間:2022-03-18
選擇性鎢自下而上填充提供了消除阻擋層和襯墊層、改善接觸和電阻的途徑鈷和鎢在 14nm 或 10nm 技術節點之前,鎢一直是與金屬/多晶矽柵極以及電晶體上的源極和漏極矽化物區域進行電接觸的主要材料...
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