並且ASML還表示，這些技術可以將晶片製程推進到1nm工藝...

時間：2022-05-23標籤：晶片 ASML 摩爾定律 1nm 製程 

這麼多的條件限制和國家，企業盯著一臺EUV光刻機，就算ASML的態度保持開放合作，也不會由他們說了算...

時間：2020-12-03標籤：光刻機 EUV ASML 1nm 晶片 

要知道，VTFET技術有望讓晶片製造進入1nm以下的工藝節點，按照IBM和三星的說法，採用VTFET技術製造的晶片，效能可以提升200%，同時，晶片的功耗也會下降85%...

時間：2021-12-15標籤：晶片 1nm 光刻機 技術 IBM 

該技術將電晶體以垂直方式堆疊，並且讓電流也改以垂直方式進行流通，如此可使得電晶體數量密度再次提高之外，更大幅提高電源使用效率，並且突破目前在1nm製程設計上所面臨的瓶頸...

時間：2021-12-13標籤：電晶體 製程 垂直 IBM 1nm 

來自北京大學資訊科學技術學院電子學系/北京大學碳基電子學研究中心、奈米器件物理與化學教育部重點實驗室張志勇教授-彭練矛教授課題組透過發展全新的提純和自組裝方法，製備高密度高純半導體陣列碳奈米管材料，首次實現了效能超越同等柵長矽基CMOS技術...

時間：2021-11-17標籤：碳奈米管 晶片 光刻機 1nm 矽基 

未來華為雖然會繼續研發晶片，取得3nm，2nm甚至更先進晶片的突破，但卻無法制造生產...

時間：2021-10-02標籤：晶片 1nm 2nm 臺積 華為 

1nm是人類半導體發展的重要節點，可以說，能不能突破1nm的魔咒，關乎計算機的發展，雖然二硫化鉬的應用價值非常大，但是，目前還在早期階段，而且，如何批次生產1nm的電晶體還沒有解決，但是，這並不妨礙二硫化鉬在未來積體電路的前景...

時間：2020-08-27標籤：二硫化鉬 1nm 電晶體 晶片 柵極 

對於這一傳聞，臺積電一直沒有給出迴應，所以對於臺積電是否真的會在2030年實現1nm以下工藝晶片的量產目前還無法確定，但可以肯定的是，作為晶片製造界的翹楚，臺積電在未來一定可以突破1nm以下工藝，這些都只是時間問題而已...

時間：2021-05-21標籤：晶片 臺積 1nm 量產 實現 

▲28nm厚的AlCu薄膜的電阻率與Al濃度的關係二、更高的金屬密度將減少焦耳熱IMEC設想在先進的半鑲嵌工藝技術中使用這些金屬間化合物，這需要直接對金屬進行蝕刻，以獲得具有更高縱橫比的線條...

時間：2021-07-12標籤：IMEC 互連 1nm 晶片 電阻率 

而且相比於矽基晶片來說，透過對氮化鎵和碳基晶片的研發，我們能夠實現彎道超車...

時間：2021-06-13標籤：晶片 矽基 氮化 1nm 研發 

意味著當晶片生產工藝來到1nm之後，可能就要面臨無法再突破的局面，必須選用全新的材料，才有望生產埃米工藝的晶片...

時間：2021-04-16標籤：1nm 工藝 埃米 5nm 晶片 

結語從實驗室到產線量產，1nm製程工藝需要攻克電晶體架構、半導體材料，以及製造裝置等幾道難關...

時間：2021-05-21標籤：1nm 製程 電晶體 器件 CFET 

結語從實驗室到產線量產，1nm製程工藝需要攻克電晶體架構、半導體材料，以及製造裝置等幾道難關...

時間：2021-05-21標籤：1nm 製程 電晶體 器件 CFET 

不過這項成果並非是實現1nm以下晶片的工藝突破，而是在研究中發現了可以挑戰1nm以下製程晶片的新技術，利用半金屬鉍Bi作為二維材料的接觸電極，能大幅降低電阻、提高電流，實現接近量子極限的能效...

時間：2021-05-21標籤：2nm 1nm 臺積 摩爾定律 製程 

摩爾定律達到極限之時，需要採用全新的技術或材料，以往的市場格局有望被打破，臺積電、三星等晶片代工巨頭們將站到新的起跑線上，進行重新競賽...

時間：2021-05-20標籤：臺積 1nm 晶片 製程 IBM 

據媒體最新報道，以臺積電為代表的半導體廠商已經獲得支援，並被期許在2030年前量產1nm以下工藝...

時間：2021-04-16標籤：1nm 埃米 光刻機 5nm 2030