導讀
:三星電子於6月30日宣佈,全球首先量產採用環柵 (GAA) 電晶體架構的3nm工藝節點,同時韓媒稱三星與ASML就採購高數值孔徑 (NA) EUV光刻裝置已簽署協議。
圖:三星展示採用3nm工藝量產的晶圓
三星宣佈,首次實施的GAA技術多橋通道FET(MBCFETTM)
突破了FinFET的效能限制
,透過降低電源電壓水平來提高功率效率,同時透過增加驅動電流能力來提高效能。
與5nm工藝相比,第一代3nm工藝最高可降低
45%的功耗
,提升
23%的效能
,減少16%的面積,而第二代3nm工藝則是最高可降低50%的功耗,效能提升30%,面積減少35%。
圖:李在鎔參觀ASML光刻裝置
與此同時,韓媒公佈了三星電子副會長李在鎔6月赴歐成果,三星與ASML簽署了一項協議,將引進今年將生產的EUV光刻裝置和預計明年推出的最新款
高數值孔徑 (High-NA) EUV光刻機
。
與現有的EUV光刻裝置相比,High-NA EUV光刻裝置可以雕刻更精細的電路,被認為是遊戲規則的改變者,將決定3nm以下工藝的市場格局。
同時,目前0。55 NA EUV光刻裝置的單價估計為5000億韓元(約合
26億元人民幣
),售價高達現有EUV光刻裝置的
兩倍
。
圖:0。55NA光刻機路線圖
今年早些時候,
英特爾
宣佈已簽署合同,購買
5臺
這種裝置,用於2025年生產
1.8nm晶片
。
臺積電
也在6 月16日公開表示,將在
2024年
全球首次將0。55 NA EUV光刻裝置引入其工藝。
報道還指出,李在鎔歐洲此行的目的除確保下一代High-NA EUV光刻裝置合作外,還在爭取目前正在生產的新一代EUV裝置的產能。據悉,ASML今年只能生產50臺左右的EUV裝置,交貨週期為
18個月
。
據報道,三星電子已獲得計劃於今年生產的55臺EUV光刻裝置中的
18臺
,這意味著該公司今年僅在EUV光刻裝置上就將投資超過4萬億韓元(約合
208億元人民幣
)。