揭秘三星 3奈米 GAA 技術
時間:2022-07-01
時間:2022-07-01
眾所周知,自2011年英特爾釋出22nm工藝以來,包括Intel、臺積電、三星、格芯和中芯國際都幾乎在所有的先進工藝邏輯晶片上使用FinFET晶體管制造...
時間:2022-05-10
金氧半導體場效應電晶體(MOSFET,即微處理器中使用的電晶體)自1959年誕生以來,其形狀和材料都發生了變化,但基本結構(柵極疊層、溝道區域、源極和漏極)一直保持不變...
時間:2021-08-08
選擇多晶矽的另一個原因是MOS電晶體的閾值電壓與柵極和溝道之間的功函式差相關...
時間:2021-03-15
一種石墨烯場效應電晶體,包括:襯底、第一柵電極、第二柵電極、第一柵介質層、第二柵介質層、溝道層以及源電極和漏電極...
時間:2021-04-02