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臺積電:2024年將擁有ASML最先進的High-NA EUV光刻機

集微網訊息,當地時間6月16日,據路透社報道,臺積電高管週四表示,該公司將在2024年擁有ASML下一代最先進的晶片製造工具。

報道稱,這種名為 “Hign-NA(高數值孔徑) EUV ”的工具能產生聚焦光束,在用於手機、膝上型電腦、汽車和人工智慧裝置(如智慧音箱)的計算晶片上建立微電路。其中,EUV代表極紫外光,是ASML最先進機器所使用的光波長。

臺積電:2024年將擁有ASML最先進的High-NA EUV光刻機

圖源:路透社

“臺積電將在2024年引入Hign-NA EUV光刻機,以開發客戶所需的相關基礎設施和圖案化解決方案,並推動創新。”臺積電研發高階副總裁Y。J。 Mii在矽谷舉行的臺積電技術研討會上表示。

不過,他沒有透露這一用於製造更小更快晶片的第二代EUV光刻機何時用於大規模生產。據悉,臺積電的競爭對手英特爾也已表示將在 2025 年之前使用下一代光刻機進行生產,並表示將率先收到該機器。

報道指出,隨著英特爾進入其他公司設計的晶片製造業務,它將與臺積電競爭這些客戶。

臺積電業務發展高階副總裁Kevin Zhang後來澄清表示,臺積電不會在2024年準備使用新的High-NA EUV工具進行生產,將主要用於與合作伙伴進行研究。

但參加研討會的TechInsights晶片經濟學家Dan Hutcheson說:“臺積電在 2024 年擁有它,意味著他們可以更快地獲得最先進的技術。”

“High-NA EUV是下一代科技的重大創新,將使晶片技術處於領先地位,”Hutcheson補充道。

報道稱,臺積電週四還就其2nm晶片的技術提供了更多細節,據稱該晶片有望在2025年實現量產。臺積電表示,該公司已經花了15年時間開發所謂的 “奈米片 (nanosheet)”電晶體技術,以提高速度和功率效率,並將在其2nm晶片中首次使用該技術。(校對/隱德萊希)