GaN技術的基礎知識
時間:2021-06-29
時間:2021-06-29
時間:2021-08-27
國外知名的IGBT廠商有意法半導體、英飛凌、三菱等,而國內,比亞迪、吉利、士蘭微等的IGBT產品都承載著國產新能源汽車的關鍵功率控制器件...
時間:2021-09-25
時間:2021-07-06
近日,據知情人士透露,華為正在為公司的功率器件研發大肆招兵買馬,其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件,據說隊伍目前已有數百人...
時間:2021-03-30
需要注意的是,由於目前距成分股增加還較遠(2022年中前實施),且行業代表性實施方法、以及指數調整委員會一些非量化調整標準等原因,這一測算僅作為近似參考...
時間:2021-03-03
時間:2021-03-14
珠三角地區在半導體照明領域全國領先,是我國第三代半導體產業的南方基地,擁有“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”...
時間:2021-06-15
IGBT即絕緣柵雙極型電晶體,是由雙極型三極體和絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點...
時間:2021-06-12
東芝電子元件及儲存裝置株式會社將透過日本的 Kaga Toshiba Electronics Corporation 建設 300mm 晶圓製造廠,擴大功率器件的產能...
時間:2021-03-12
時間:2021-05-20
時間:2021-06-15
EDA365電子論壇1壓接器件的佈局要求1)彎/公、彎/母壓接器件面的周圍3mm不得有高於3mm的元器件,周圍1...
時間:2021-06-16
1特殊元器件的佈局發熱元件應放置在利於散熱的位置,例如PCB的邊緣,並遠離微處理器晶片...
時間:2021-06-15
▼MCU/MPU▼模擬晶片▼儲存器▼射頻和無線此處為廣告,與本文內容無關▼分立器件▼無源器件以上資訊僅供參考,歡迎補充...
時間:2021-06-16
時間:2021-05-07
時間:2021-06-15
時間:2021-06-14
時間:2020-06-09
時間:2020-12-18