從電晶體發明到晶片的出現，這種看似不起眼的積體電路卻改變了全世界，讓無數電子產品得以誕生。

不過在晶片製造產業中，光刻機是重要的一環，同時還有晶片封裝技術，這兩種技術相比較來說，晶片封裝技術雖然簡單，但是門檻也很高，能掌握的製造企業並不多，於是這讓晶片的封裝工藝一度被國外企業所壟斷，國內很少有企業能分得一杯羹。

到了如今，國產晶片封裝技術在中國科研團隊的不懈努力下終於有了突破，這讓中國成為了能獨立掌握晶片封裝技術的國家，這還引發了不少國家的羨慕，那麼中國是如何突出重圍掌握了晶片封裝技術呢？

一、不懈餘力突破技術封鎖

作為半導體的工業皇冠，晶片的製造技術可謂是如今製造業的尖端技術，想要掌握並不容易，就連科技強國美國也是在電晶體誕生後數十年如一日的投入才換來了今天的成熟的晶片製造技術，可見想要掌握這樣一門技術是十分不易的。

在晶片的製造工藝中最為關鍵的就是光刻機主導的光刻工藝和之後的晶片封裝，這兩步晶片的製造工藝便限制了世界上絕大部分國家對晶片製造的渴求，同時在晶片製造上規格越小難度越高，這也是令不少國家對晶片製造工藝只能望而興嘆了。

在如今進入7奈米晶片的時代後，中國為了突破常規7奈米晶片的生產製造技術可謂投入巨大，不少晶片製造企業都參與了研發，這才有了今天中國突破7奈米晶片封裝技術的好成績，可以說國產程序速度加快。

主導中國7奈米晶片封裝技術的企業便是中國最大的晶片製造商-中芯國際。中芯國際在突破7nm晶片製造工藝時採用了FinFET N+1工藝，這是完全在中國科研投入下誕生的新工藝技術，於是這項技術的突破也意味著中國在晶片製造研發領域邁出了一大步。

FinFET N+1工藝在錄製完成原型晶片後，開始投入了批次型晶片的製造工藝測試，並在測試過程中完成了第一批批次化晶片的生產，這讓FinFET N+1工藝從實驗室正式走向了晶片生產線，讓中國的這項封裝工藝成為了真正為晶片製造服務的新技術。

二、為突破技術封鎖做準備

中芯國際突破7奈米晶片封裝技術後，便有學者開始將這一工藝與已經成熟化的晶片封裝工藝進行了對比，傳統文化的7奈米晶片封裝工藝主要由臺灣半導體制造公司和韓國三星半導體有限公司所主導，在對比一番後，發現中芯國際的FinFET N+1工藝比較傳統工藝而言，提升顯著。

晶片效能上提升了20%左右，能耗降低了57%，同時邏輯面積也減少了63%，晶片系統面積減少了大約55%。

這些晶片封裝技術上的最佳化可見FinFET N+1工藝如果普及到了當今的晶片製造上，那麼產品將是非常具有市場競爭力的，如此優異的效能也引發了不少國家的羨慕。所以這也讓不少人期待這一國產晶片封裝技術早日用到實際的晶片封裝工藝上，切實讓中國的晶片製造產業得到提升。

除了讓今後的晶片產品更加具有市場競爭力外，還有一個因素讓FinFET N+1工藝成為了日後中國晶片封裝技術的主流，這便是中國晶片為了擺脫對先進紫外線光刻機的依賴。

EUV光刻機可謂是晶片製造工藝上不可缺少的一環，但是如今的EUV光刻機卻包含了大量美國技術，這讓光刻機在國際貿易上受到了美國限制，同時也有不少專利保護，於是這讓中國日後的晶片製造不得不尋求擺脫光刻機的方法，這也讓中國晶片製造從晶片的封裝上就大做手腳，開始為今後突破光刻機制造工藝打基礎。

在擺脫對光刻機制造工藝的依賴上，中芯國際採用了N+1鑄造節點技術，這在晶片封裝技術上就有所體現，不過反映在晶片的整體制造工藝流程上，N+1鑄造節點可謂是突破如今光刻機主導的光刻工藝邁出了堅實的一步。

在N+1鑄造節點技術中，主要採用的是類似光刻機的鐳射光刻，不過它在製造上精密度更高，更適合做小奈米量級的晶片，此外相比於光刻機的報廢率，這種精準的節點鍛造法顯得精密度更高，同時也更加便於在大規模晶片生產時使用，這讓中國的半導體制造技術邁出了一大步，開始從一個低端製造者走向了行業發展的領導者，可謂意義深刻。

三、結語

從突破晶片的封裝工藝上，可以看出，中國在半導體制造技術上的投入還是非常之大的，也走出了一條頗具特色的技術道路，這不僅讓中國漸漸地從行業的低端走向了高階，成為了當之無愧的技術強國，這也引發了不少國家的羨慕，中國的人才吸引力也由此越來越強，併成為一個真正意義上的製造業強國打下了基礎。