臺積電:將於2024年引入阿斯麥下一代極紫外光刻機
臺積電研發高階副總裁米玉傑在矽谷舉行的臺積電技術研討會上表示:“臺積電將在2024年引入高數值孔徑EUV光刻機,以開發相關的基礎設施和客戶所需的曝光解決方案,繼續推進創新...
時間:2022-06-17
臺積電研發高階副總裁米玉傑在矽谷舉行的臺積電技術研討會上表示:“臺積電將在2024年引入高數值孔徑EUV光刻機,以開發相關的基礎設施和客戶所需的曝光解決方案,繼續推進創新...
時間:2022-06-17
Intel 4 即為以前的英特爾 7nm 工藝,是其第一次在晶片上採用 EUV 光刻技術...
時間:2022-06-15
、如今,三星和英特爾在晶片方面展開這樣深入的合作,在這般強強聯合之下,加上如果三星還拿到儘可能多阿斯麥爾EUV光刻機的產能...
時間:2022-06-04
據瞭解,荷蘭ASML在全球光刻機市場上佔據了80%的市場份額,其中旗下所研發的EUV光刻機售價曾一度達到1億美元一臺(約合人民幣7億元),被稱為全球最貴的精密裝置...
時間:2020-02-12
時間:2022-05-22
時間:2022-06-08
ASML生產NA EUV光刻機已經有了明確的時間規劃,儘管客戶目前還沒有表現出太大的搶單意向,但NA EUV光刻機畢竟是生產2nm晶片及以下的必備工具,ASML不可能放棄研發...
時間:2022-06-02
目前,英特爾、三星、臺積電等代工廠正大幅擴產,其中臺積電、三星兩家在先進工藝製程較量不斷升級,據悉,今年他們先後宣佈了將在今年量產3nm,業界推測他們所使用的裝置應該就是ASML最新一代的0...
時間:2022-05-23
Intel在當前的EUV光刻工藝上吃虧了,但是接下來他們追趕的步伐可要加快了,Intel把賭注押在了新一代High NA EUV光刻機上,NA數值孔徑從目前的0...
時間:2022-06-02
近期,在日本應用物理學雜誌4月發表的《高數值孔徑 EUV 光刻:現狀和未來展望》論文列出了High-NA EUV面對的八大挑戰,分別是:無法滿足解析度要求,隨機現象和圖案崩潰可能影響良率...
時間:2022-05-30
從中可以看出,目前2奈米晶片製程工藝都還沒有影子,而阿斯麥爾的新一代EUV光刻機High-Na EUV主攻的就是2奈米...
時間:2022-06-03
今年5月26日,美光表示,將在中國臺灣中科新廠啟用後匯入最先進的極紫外光(EUV)裝置或用來生產1a nm DRAM製程...
時間:2022-05-27
1.NIL工藝尋替代日本廠商佳能、鎧俠加緊研究開發NIL工藝,致力於不用EUV光刻機的條件下,實現生產5nm以下先進工藝製程的晶片...
時間:2022-06-06
時間:2022-04-27
相信隨著華為在研發和投資上的不斷努力,以及NIL和晶片堆疊技術的應用,麒麟晶片可以提前歸來,加上自研的鴻蒙系統,華為手機勢必會強勢迴歸,繼續成為蘋果三星的最強敵手...
時間:2022-04-15
有訊息指出,透過ASML新一代High-NA 版 EUV 光刻機所生產晶片與上代技術相比,效能提升與功耗較低的表現之外、有望將晶片尺寸降低66%...
時間:2022-05-23
時間:2020-07-19
但實際上,各國對EUV光刻機的需求並不小,只是奈何市場規則,ASML無法做到EUV光刻機的自由出貨,既然如此,那便展開自主研發,於是關於頂級光刻機的研究,各國紛紛行動...
時間:2022-05-17
如今,佳能、鎧俠等廠商聯合推出了NIL工藝,在不使用EUV光刻機的情況下,也能夠將晶片製程縮小至5nm晶片,並計劃在全球範圍內推廣該技術...
時間:2022-05-13
這就表明,要提升晶片效能並不一定要靠EUV光刻機才能實現,這些技術的推出,進一步降低了各企業對EUV光刻裝置的需求程度...
時間:2022-04-15